BJT I-V Characteristics결과보고서[인하대 기초실험2 전자과]

소개글

인하대 전자공학과 기초실험2
BJT I-V Characteristics 결과보고서입니다!
2021년 2학기에 수강하여 작성하였고 보고서 쓰는데 유용하게 이용해주셨으면 좋겠네요

목차

1. 실험 제목
2. 실험 과정 + 실험 결과(예상, 실제)
3. 결론 및 고찰

본문내용

이번 실험을 통해 BJT를 포함한 회로에서 V_BE-I_C 특성, V_CE-I_C 특성, Resistive Divider Biasing의 특징을 알 수 있었다.
Lab 1에서 V_BE에서 문턱 전압 이상의 전압이 인가되면 I_C가 지수적으로 증가하며 V_BE기 문턱 전압보다 작아 전류가 흐르지 않으면 Cutoff 영역, V_BE>0,V_CB<0이면 Saturation영역, V_BE>0, V_CB>0이면 Forward-Active 영역임을 V_BE-I_C그래프를 통해 확인할 수 있었다.
Lab 2에서 V_CE-I_C그래프를 그리면 V_BE가 문턱 전압을 넘었을 때, I_C의 기울기가 급격히 증가하고(Saturation 영역) 특정 V_CE값 이상부터는 기울기가 더 작은 일차 함수 형태로 증가(Forward active영역)하는 그래프가 나옴을 알 수 있다. 이는 Early effect에 의한 것으로 V_CE-I_C그래프에서 Forward-Active 영역에서 기울기의 역수가 r_O, 일차 함수의 x절편이 V_A이다.

참고 자료

없음