[반도체공학실험]반도체 패터닝

소개글

"[반도체공학실험]반도체 패터닝"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험 기구 및 장치
1.1. 실험 장비
1.1. 실험 시약

1. 실험 방법
1.1. 실험 과정

1. 실험 결과
1.1. 결과 분석
1.1. 식각속도 계산방법

1. 토의 사항
1.1. 실험 고찰
1.1. 공정상 문제

본문내용

1.1. 실험 장비

1:Main chamber, 2:Main switch, 3:Flow rate controller
4: Pump/Gate valve, 5:Power controller

먼저 왼쪽 동그란 원통모형이 메인챔버(main chamber)이다. 메인챔버에서는 식각이 일어난다. 메인챔버 아래는 진공펌프가 존재하여 메인챔버를 진공상태로 유지시켜주는 장치가 있다. 진공펌프 쪽에서는 기체의 압력을 조절 할 수 있는 밸브가 따로 있다. 오른쪽 표면코팅및식각장치 아래에 메인 스위치가 존재하고, 그 아래에는 기체가 흐름을 조절 할 수 있는 컨트롤러가 있다. 그 아래에는 진공펌프와 기체가 흐르는 통로의 밸브를 온오프 할 수 있는 버튼이 있고 그 아래는 플라즈마를 생성시킬 때 얼마만큼의 power을 줄 수 있을지 조절하는 파워 컨트롤러가 있다.

1.2. 실험 시약
1.2.1. Silicon wafers : 고순도의 실리콘을 녹여 절단 연마 등의 공정을 거친 얇은 실리콘 원판으로서 패터닝을 하는 기본적인 판이다.

<중 략>

2. 실험 결과
2.1. 결과 분석
2.1.1. 1번 : Lithography된 초기박막
2.1.2. 2번 : 플라즈마 생성 파워200W로 식각
2.1.3. 3번 : 2번박막을 산소 플라즈마로 Ashing한 박막
2.1.4. 4번 : 플라즈마 생성 파워300W로 식각
2.1.5. 5번 : 4번박막을 산소 플라즈마로 Ashing한 박막

참고 자료

없음