실험3. 직렬 및 병렬 다이오드 구조

소개글

"실험3. 직렬 및 병렬 다이오드 구조"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험결과 및 데이터
1-1. 문턱 전압
1-2. 직렬구조
1-3. 병렬구조
1-4. 양논리 AND게이트

2. 고찰

본문내용

1. 실험결과 및 데이터

1.문턱 전압
a.Si 와 GE 다이오드의 문턱전압을 측정하라
Si VT = 0.601 V
Ge VT = 0.413 V

2. 직렬구조

a. 3.3 회로의 저항을 측정하라.

R = 2.17 k ohms

b. 순서 1에서 측정한 Si와 GE 다이오드의 문턱 전압과 R을 이용하여 V(o), I(D)를 구하라.
V(D) = 0.601V
V(o)(계산값) = 4.39V

c. DMM으로 V(D)와 V(o)를 측정하고, 측정값으로부터 전류 I(D)를 계산하고 2(b)와 비교하라.
V(D)(측정값) = 0.65 V
V(o)(측정값) = 4.35 V
I(D)(측정값으로부터) = V(o)/R = 1.97mA

2(b) 계산식과 비교했을 때 비슷한 값을 얻을 수 있었다.

e. 순서 1에서 측정한 V(D)와 V(o), R1, R2를 이용하여 V(D), V(o), I(D)를 구하라.

V(D) = 0.601 V
V(o)(계산값) = 1.33 V
I(D)(계산값) = 1.33 mA

f. DMM으로 전압 V(D)와 V(o)를 측정, I(D)를 계산하고 2(e)와 비교해라
V(D)(측정값) = 0.622 V
V(o)(측정값) = 1.34 V
I(D)(측정값으로부터) = V(o)/R2 = 1.34 mA

2(e) 계산식과 비교했을 때 비슷한 값을 얻을 수 있었다.

g. 3.4에서 Si다이오드를 반대로 연결하고 이론적인 값을 계산하라.
V(D) = 5 V
V(o)(계산값) = 0 V
I(D)(계산값) = 0 V

h. 2(g)에서 V(D), V(o)를 측정하고 전류 I(D)를 계산하라.
또한 결과값을 2(g)와 비교하라.
V(D)(측정값) = 4.98 V
V(o)(측정값) = 0.03 V
I(D)(측정값으로부터) = V(o)/R2 = 0.03 mA

2(e) 계산식과 비교했을 때 비슷하게 전류가 흐르지 않는 값들을 얻을 수 있었다.

참고 자료

전자회로실험 11판