[전자회로]실험1 반도체 다이오드의 특성

소개글

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목차

1. 목적
2. 기기 및 부품
3. 이론
4. 실험 순서
5. 실험 결과
6. 결론 및 고찰

본문내용

● 목적
1. 반도체 다이오드의 순방향 및 역방향 바이어스의 효과를 측정한다.
2. 반도체 다이오드의 I-V 특성을 실험적으로 결정한다.
3. 저항계 다이오드를 검사하는 방법을 익힌다.

● 기기 및 부품
직류가변전원: 0-30
멀티미터
저항 : 250Ω 1/4W
다이오드 : Si(1n4154), Ge(1n4454)

● 이론
반도체는 도체와 부도체의 중간 정도의 저항을 갖는 고체로서 게르마늄 또는 실리콘 결정체이다. 순수 게르마늄의 저항은 45[Ω· ㎝]정도이고, 순수 실리콘의 저항은 수천[Ω· ㎝]정도이다. 순수 게르마늄이나 순수 실리콘만으로 구성된 반도체를 진성 반도체라고 하는데 이들 진성반도체 자체는 저항이 크기 때문에 진성 반도체 상태를 그대로 이용하지 않고, 3가 원소(붕소, 알루미늄, 갈륨, 인듐)나 5가 원소(인, 비소, 안티몬)를 주입한다. 순수반도체에 3가 원소를 미량 주입한 반도체를 p형 반도체와 n형 반도체가 접합(junction)을 형성할 경우에는 그 접합면에 반송자 밀도의 기울기가 생기고 이 때문에 한쪽 방향 즉 p형 쪽에 n형 쪽으로만 전류가 흐르게 된다. p형 반도체와 n형 반도체가 여러 가지 형태로 조합되어 다이오드, 트랜지스터, FET, SCR, IC 같은 반도체 소자가 만들어 진다. 일반적으로 반도체 소자는 1)부피가 작고 가볍다 2)진동에 강하다 3)전력소모가 작다 4) 주위한경의 영향이 작다 5)극소형화가 가능하다 라는 특성을 갖기 때문에 오늘날의 전자시스템은 모두 반도체소자로 구성한다

그림 1-1과 같은 형태의 2단자 소자를 접합다이오드라고 한다.

참고 자료

없음