Schottky Diode 전기적 특성 레포트

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최초 등록일: 2022.12.05
최종 저작일: 2022.12; 5페이지/ 어도비 PDF; 가격 2,000원

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"Schottky Diode 전기적 특성 레포트"에 대한 내용입니다.

본문내용

1. 실험날짜
- 2022년 12월 3일

2. 실험제목
- Schottky Diode 전기적 특성

3. 예비이론
(1) Schottky junction
이전 시간에 살펴봤던 PN junction을 소자 즉, 다이오드로 사용하기 위해서는 External 바이어스를 인가해줘야 함을 상기할 수 있다. 또, 양쪽 끝에 도선이 연결되어야 하는데, 이 부분에서 Metal-Semiconductor junction이 만들어진다. 이를 MS junction이라 부른다.

우리는 P-type/N-type 반도체의 에너지 밴드를 그리는 방법을 학습했다. 반면 Metal은 Energy gap이 존재하지 않기 때문에, Conduction band와 Valence band가 없다. 그래서 이를 어떻게 그려내야 할지 난감할 수 있다. Metal의 경우, 원자들이 전자 구름(Electron cloud)을 형성하면서 결합을 하고 있다. 이는 전자들이 물질 내에서 자유롭게 움직일 수 있음을 의미하고, 반도체 물질 관점에서 Free electron이 매우 많은 상태라고 할 수 있다.

참고 자료

Neamen, 『Semiconductor Physics and Devices』, McGraw-Hill, 2003
https://learnabout-electronics.org/Semiconductors/diodes_22.php

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