[전자공학] 박막형성법과 그성질

소개글

전자세라믹스박막형성법과 그박막특징에 대한 레포트입니다.

목차

1. 물리적 방법중 스퍼터법
(1) Reactive vs non-reactive process
(2) Diode sputtering
(3) RF sputtering
(4) Triode sputtering
(5) Magnetron sputtering
(6) Unbalanced magnetron sputtering

2. 화학적인 방법중 CVD방법
(1) 이론적 배경
(2) 장치에 대한 원리와 방법
(3) CVD 기술과 종류
① 열CVD
② 플라스마 CVD
③ 광 CVD
④ MO-CVD
⑤ 레이저 CVD

3. CVD방법으로 만든 박막의 성질
(1) PLZT박막의 광학적 특성
(2) PZT계 박막의 전기적 특성

본문내용

1. 물리적 방법중 스퍼터법
스퍼터 법은 박막이 되어야 할 재료의 target을 글로 방전으로 이온화시킨 가스를 충돌시켜 끌어낸 입자를 기판에 붙이는 방법으로 진공증착법으로는 붙이기 어려운 고융점재료의 박막 형성이 가능하다. 이방법에는 Diode sputtering, RF sputtering, Triode sputtering, Magnetron sputtering, Unbalanced magnetron sputtering 등이 있다.

(1) Reactive vs non-reactive process
① non-reactive process
·불활성 gas plasma를 이용하여 sputtering
- target이나 기판에 직접적인 화합물 형성에 참여하지 않음
·불활성 기체가 매우 적은 양이라도 target이나 막에 침투하면 막의 성질에 좋지 않은효과 발생 ex) hard coating 내부의 Ar - 막의 내부 응력을 증가시킨다
·기판/막 couple의 불활성기체 충돌
- growth mode, stoichiometry, film properties, 기체 혼입 가능성에 큰 영향을 미친다.
·불활성 기체로 Ar이 탁월 - 값이 싸고, 무거워서 sputtering yield가 높다.

참고 자료

전자세라믹스 박창엽저