[전자공학실험2] 차동 증폭기

목차

1. 실험 목적
2. 사용 기기 및 부품
3. 실험 내용 및 결과 분석
4. 연습문제 풀이
5. 결론

본문내용

1. 실험목적
- MOSFET을 이용한 차동증폭기의 동작 원리와 회로 특성을 익힌다.
- 간단한 응용회로를 구성하여 차동증폭기의 이론내용들을 실험적으로 검증한다.

3. 실험 내용 및 결과 분석
MOS differential pair with current mirror
① [그림1]의 회로를 구성한다.
② 오프셋 전압을 측정하고 0 V가 아니면 그 이유를 고찰한다.
③차동 증폭기의 입력 전압을 인가할 때, 출력되는 전압의 결과를 측정한다.
그리고 비교 설명을 통하여 입력 전압의 크기 차이에 따른 출력 전압의특성 변화 및 공통 입력일 때와 차동 입력일 때의 출력 전압들에 대해비교해 본다.
④RD1과 RD2의 값의 변화에 따른 differential gain : Ad, common mode gain
: Acm, CMRR을 측정한다. 그리고 차동증폭기에서 RD1과 RD2의 저항 값의차이가 성능에 미치는 영향에 대해 고찰한다.
⑤[그림6]과 같이 current mirror 대신 RSS를 사용 할 때의 Ad, Acm, CMRR을측정한다. 그리고 각각의 차동 증폭기의 성능을 비교하여 고찰한다.
¦ 실험 전 [그림1-1]의 회로소자 실측값과 bias point와 ID를 측정해보면[표1-2]와 같이 나타났다. 모든 MOSFET의 VGS > Vth, VGD < Vth이므로MOSFET이 saturation mode로 동작함을 확인할 수 있었고, MOSFET마다μnCox(W/L), Vth등의 parameter가 다르기 때문에 bias current에 조금씩의차이가 있었다.
¦오프셋 전압은 입력이 없을 때도 출력으로 나타나는 DC voltage를 야기하는입력단의 전압차를 뜻한다. [그림1]의 회로에서 입력 두 단자(VG1, VG2)를 모두ground 시켰을 때 출력단의 전압 차(VD2-VD1)를 측정해보면 [그림2]와 같이VO = 378mV로 나타났다.

참고 자료

없음