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[전자물리학] 트랜지스터 특성 회로 결과보고서

*영*
최초 등록일
2004.03.28
최종 저작일
2004.03
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소개글

후회는 없으실거에요^^
한글2002자료입니다.

목차

실험방법
실험결과
결과고찰

본문내용

결과 고찰

① 실험 회로도를 구성하는 과정에서 여러 가지 문제가 있었다. 의 전압이 12V 가되기도 전에 저항이 타버리는 경우가 생겼다. 그래서 회로도를 검토한 결과 역방향으로 전류를 흘러 주고 있다는 것을 알았다. 그래서 -24V에서 +24V 로 고쳐서 순방향 전류를 흘러주고 실험을 하게 되었다. 그러한 이유는 실험에서 쓰고 있는 트랜지스터는 npn 이기 때문에 베이스 방향에 순방향 전류를 흘러주기 위해서 전압을 바꾸어 준 것이다.

② 순방향으로 바이어스 된 이미터는 매우 작은 저항을 가지고 있으며, 역방향으로 바이어스 된 컬렉터는 매우 큰 저항을 가지고 있다. 그런데 이 두 영역에는 거의 같은 전류가 흐르게 되므로 커다란 전력이득을 얻을 수 있다. 이 전력 이득은 이미터전류와 컬렉터전류가 같을 때 최대 증폭을 얻을 수 있다.

참고 자료

없음
*영*
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