[반도체공학] 전계효과 트랜지스터

목차

1. TR의 대표적 동작
2. 분류
3. 전계효과 트랜지스터 (⇒ 다수 캐리어 제어형)
4. 금속-절연-반도체 FET
5. MOS TRANSISTOR

본문내용

3. 전계효과 트랜지스터 (⇒ 다수 캐리어 제어형)

■ 채널 반전층: 다수 캐리어가 흐르는 통로 ⇒ Gate 에 의해 인가된 전압에 의해 제어
■ 양단에 걸린 전압에 의한 전계: Drift 적인 효과
■ 댐의 높이는 고정되고 물의 높이가 움직인다.(=캐리어를 가지고 전류를 제어한다.)

■ 장점 (Bipolar에 비해)
① 입력 임피던스가 높다. ⇒ noise의 영향이 적다.
② 출력 임피던스가 낮다. ⇒ 벌크(단결정 덩어리) 저항에 상응하기 때문에
③ 소수캐리어 축적효과가 없기 때문에 고주파 특성이 좋다. ⇒임피던스가 낮다.
④ bipolar에 비해 제조 공정히 간단하고 동작 전력 Level이 낮다.
⇒ 집적 회로도가 높다(대용량기억소자로 사용)
※ Bipolar는 제조 공정히 복잡하며 직접도가 낮다.

■ 단점: 스위칭 속도가 느리다. (gm의 비로 속도 구분)
⇒ 단위 gate 전압만 채널의 변화율(gm): gm이 크면 동작속도가 좋다

참고 자료

※ 참고문헌: 사이텍미디어 [고체전자공학], 수업 중 프린트 물