전자및에너지재료공학 기말 보고서

소개글

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목차

1. INTRODUCTION
2. HIGH-K
3. ISSUE
4. DEVELOPMENT TREND

본문내용

Metal : 초기에는 저항 성분이 매우 낮은 Al 등으로 만들기도 하였음, 공정 중 높은 온도에서 잘 용융 되어 형태가 쉽게 무너짐, 문턱전압 (Threshold voltage)의 조정이 어려움
SiO2 : 문턱전압을 낮추고 통제가 쉬운 폴리실리콘 사용하게 됨, 높은 저항값 때문에 트렌지스터의 성능 저하를 야기함
Doped SiO2 : 폴리실리콘의 저항 성분을 낮추어 동작속도를 빠르게 하기 위해 도핑함
High K Metal : 트렌지스터의 크기가 축소되면서 게이트 옥사이드 두께가 얇아지고 게이트 층의 도핑된 농도가 채널로 이동하게 되고 이에 따라 문턱전압이 다시 높아짐, 때문에 폴리 실리콘 대신 금속 계열 사용, 이때 게이트 옥사이드의 물질은 절연성이 더 높은 High-k 로 사용함

참고 자료

없음