[반도체공정]Photo lithography

소개글

Photo lithography에 관하여 열심히 정리 했습니다.

목차

1. Photolithography
2. Phothlithography 과정
3. 광마스크 제조
4. 노광 시스템Light Source용어설명
5. 참고문헌

본문내용

1. Photolithography
리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 현상까지를 레지스트 처리공정으로 하며, 에칭 공정과 분리해서 생각할 수도 있다. 현재, 패턴 노광은 레티클이라 불리는 마스크 기판에 의해 축소 투영 전사시킴으로써 행해지고 있다. 이 공정은 모든 프로세스 기술의 중심이며, 반도체 공장에서도 가장 많은 금액의 투자를 필요로 하는 장치이다. 패턴 형성 후에는 반드시 에칭 공정이 수반되며 현성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 처리할 수 있다.

2. Phothlithography 과정
가. clean wafers세정은 리소그래피를 처음으로 하는 각 공정 사이에서 반드시 행해야 하는 것으로, 표면 청정화를위한 공정이다. 또한 열처리,산화 등의 공정전에 행하여지는 것으로 "후처리","전처리"라 불리기도 한다. 이공정은 여전히 약액을 사용하는 웨트처리가 중심으로 ,RCA 세정의 경우는 H2SO4,HCI,NH4OH,HF,H2O2 등의 약액 조합에의해 처리된다. 웨이퍼 세척과 반도체 공정에 전반적으로 사용되는 중요한 화합물이 Di water이다. Di water는 이온, 입자, 박테이라 같은 오염물질을 제거한 매우 순수한 물이다. 이론적으로 순수한 물의 저항은 25℃에서 18.3 Mohm-cm이다. 일반적인 Di water 시스템은 0.25um보다 큰 입자가 없고, 밀리미터당 박테리아 수가 1.2보다 적으면서 저항이 18 Mohm-cm이 되어야 한다.

참고 자료

가. 반도체 공정개론 - Richard C. Jaeger(2002, 교보문고)
나. http://www.ee.washington.edu/research/microtech/cam/PROCESSES/PDF%20FILES/Photolithography.pdf
다. http://phys.kyungwon.ac.kr