실험15_전자회로실험_예비보고서_다단 증폭기

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목차

1. 제목

2. 실험 절차

3. 실험에 대한 이론
1) 예비보고사항
2) 실험에 대한 pspice 회로도 및 시뮬레이션 결과

본문내용

1. 제목
- 다단 증폭기

2. 실험 절차
<2단 증폭기>
- 실험회로 1에서 V_DD=12V, V_SIG = 0V, R_D1=10kΩ, R_S1=R_S2=5kΩ, R_1=R_3=100kΩ, R_2=R_4=50kΩ, R_L=10kΩ 으로 고정하고, 회로를 구성한 후, 공통 소오스 증폭기 2 출력의 DC 값이 6V가 되도록 하는 R_D2값을 결정한다. 이 경우 M_1,M_2의 각 단자들의 전압(V_D1,V_G1,V_S1,V_D2,V_G2,V_S2) 및 전류(I_D1,I_D2)를 구하고, 표에 기록하시오. 각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하시오.
- 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 M_1,M_2의 트랜스 컨덕턴스 g_m값, 출력 저항 r_0를 구하여 표에 기록하시오. 이를 이용하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 이론적인 전압 이득을 구하시오.
- 전압 이득이 최소 100V/V이상 나오는지 보기 위해 입력에 10kHz의 0.01V_(P-P) 정현파의 입력 전압을 인가한다. 이때 실험회로 1의 2단 증폭기의 입력-출력 전압의 크기를 표에 기록하여 전압 이득을 구하고, 크기와 위상을 고려하여 v_SIG, 첫 번째 단의 입력 전압, 첫 번째 단의 출력 전압, 두 번째 단의 출력 전압의 파형을 캡처하여 결과 보고서에 기록하시오.
- 실험회로 1의 입력 저항과 출력 저항을 직접 측정하여 표에 기록하시오. 입력 저항을 측정하기 위해 입력의 DC 전압을 변화시키면서 입력 쪽에 흘러 들어가는 DC 전류를 측정한다. 출력 저항을 측정하기 위해 입력에 0V를 인가하고, 출력 쪽에 DC 전압을 변화시키면서 출력 쪽에 흘러 들어가는 DC 전류를 측정한다.
- R_L을 10Ω으로 바꾼 후에 실험 절차 1~4를 수행하고, 기록하시오. 또, R_L이 10kΩ인 경우와 결과를 비교하시오.

참고 자료

없음