전자회로실험_A+레포트_증가형 MOSFET의 바이어스 회로

소개글

전자회로 실험, 증가형 MOSFET의 바이어스 회로

목차

<실험목적>
A. 이론
B. 실험부품 및 실험방법
C. 실험결과
D. 토의

본문내용

<실험목적>
1. 증가형 N-채널 MOSFET의 바이어스 회로 동작을 예측한다.
2. 전압분배 바이어스 회로에서 드레인 저항 RD가 동작점에 미치는 영향을 확인한다.
3. 자기 바이어스 회로에서 소오스 저항 RS가 동작점에 미치는 영향을 확인한다.

이론
<MOSFET>
: Metal-Oxide-Semiconductor ‘금속 산화물 반도체 트랜지스터’이다. MOSFET는 게이트(Gate), 소오스(Source), 드레인(Drain)의 3개 단자를 갖는다. 게이트는 BJT의 베이스, 소오스는 이미터, 드레인은 컬렉터 단자와 대응된다.
- 게이트 단자에 인가되는 전압의 극성과 크기에 따라 소오스와 드레인 사이의 전류흐름이 제어된다. 소오스는 전류를 운반하는 캐리어를 공급하고, 드레인은 소오스에서 공급된 캐리어가 채널 영역을 지나 소자 밖으로 방출되는 단자이다. MOSFET의 게이트 단자는 산화막으로 절연되어 있어 게이트 단자에는 전류가 흐르지 않는다.

<MOSFET 전압분배 바이어스 회로>
저항 R1, R2로 전원전압 VDD를 분배하여 게이트 바이어스 전압 VGQ=VGSQ를 생성한다.
V_GQ=(〖R_2/(R_1+R_2 )〗_ )V_DD
MOSFET가 포화영역에서 동작하도록 바이어스된다면, 드레인 바이어스 전류는
IDQ = 1/2Kn 〖(V_GSQ – V_Tn)〗^2으로 결정된다. 저항 RD에 의해 드레인-소오스 바이어스 전압은
VDSQ = VDD – RDIDQ로 결정된다. 부하선은 드레인 저항 값에 따라 직류-부하선의 기울기가 달라지며 동작점의 위치도 달라진다.

<MOSFET 자기 바이어스 회로>

참고 자료

없음