[반도체 취업] 8대공정 간단 정리 및 추가 개념 상세 설명

소개글

8대공정 Process 및 각 단계에 대한 상세설명.
(CVD, PVD, Wet/Dry Etch 등 비교설명 有)

목차

없음

본문내용

8대공정
wafer제조-산화막형성-포토공정-etching공정-박막증착-금속막(배선)-전기적테스트공정-패키지
웨이퍼는 4,5,6,8,12인치 현재는 8,12인치를 주로 사용
웨이퍼의 크기를 키울수 없는 이유
1. 경제적으로 어려움. 기존 장비를 커진 웨이퍼 크기에 맞춰야함으로 장비를 새로사야함
2. 더 넓은 면적의 웨이퍼에서 이물질 통제, 평탄함등이 어려움
3. 웨이퍼가 커지면서 웨이퍼가 더 두꺼워져야하고, 열적인 안정성, 인장강도를 유지하는 것 등 고려할 것이 더 많아짐.
산화 공정
반도체가 오염되는 것을 막아주기 위해 보호막을 만드는 것이 산화 공정. 웨이퍼 표면에 산 소나 수증기를 뿌려서 균일한 실리콘 산화막을 형성. 산화막이 이후 반도체 공정 과정에서 발생하는 오염물질이나 화학물질로부터 생성되는 각종 불순물로부터 웨이퍼 표면을 보호.
포토 공정
Mask 상에 설계된 패턴을 빛을 이용해 wafer에 구현하는 공정
식각 공정
불필요한 회로를 제거하는 과정.
박막 증착 공정
박막을 증착하는 공정
금속 배선 공정
금속 배선 공정은 전기가 잘 통하는 금속의 성질을 이용해 반도체의 회로 패턴을 따라 전기길, 금속선을 이어주는 공정
전기적 테스트 공정(EDS)
각각의 칩이 전기가 잘 통하는지 작동이 잘되는지 품질을 검사하는 단계
이 공정을 통해 원하는 품질 수준으로 칩이 만들어졌는지 판단하고 양품과 불량품을 검사
패키징 공정
웨이퍼의 수백 수천개의 die를 크기에 맞게 자르고 포장하는 공정

전공정은 반도체 웨이퍼를 생산하고 웨이퍼 위에 회로를 만드는 과정이고 후공정은 테스트 하고 웨이퍼 위에 만들어진 회로를 자르고 패키징하여 최종 상품으로 만드는 과정.
전공정은 웨이퍼제조부터 금속 배선 공정까지, 후공정은 테스트, 패키징 공정

Photo lithography
포토 공정은 소자의 집적도를 향상시키는 핵심 공정이라고 할 수 있음. 8대 공정중에서 가 장 오랜 시간을 차지하고 있고 이에 따라 공정원가도 가장 높은 포토공정.

참고 자료

없음