반도체 부품 장비 융합 개론 - 노트정리 & 기출문제 포함

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본문내용

2차시. 반도체 계측 개론
1)반도체의 기본적인 특성
#1. Microfabrication 공정
활용 예시: 집적회로(Integrated circuits)
, MEMS 센서, 태양광 패널 등
#2. in-plane vs out-of-plane
-in-plane: 수평 방향 / 0.02-100μm
-out-of-plane: 수직 방향 / 0.01-10μm
#3. 오늘날의 트랜지스터
: 집적 회로
#4. 무어의 법칙
: 2년마다 IC 집적도가 2배
#5. 반도체 8대공정
①웨이퍼 준비
②Oxidation(산화)
③Photolithography(포토)
④Etching(엣칭)
⑤Diffusion & Ion Implantation(이온주입)
⑥Metallization(금속 배선)
⑦Electrical Die Sorting(전기 다이)
⑧Packaging(패키징)
#6. 클린룸 시설
-Fab: 반도체 공장 시설을 일컫는 말
-공기 중 이물질(particle)이 있으면 안돼
-노광실은 다른 파장의 빛이 들어오면 안돼서 노랑 빛을 쪼인다
-버니슈트 입고 에어샤워 후 출입
-클린룸 전용 물품 사용
#7. 클린룸 시설 - 기준 (숫자 기출)
FED STP에서 ISO로 기준 바뀜
-기준: 면적당 particle 입자 수
*Class1(=ISO3)
-≥0.1μm 1000
-≥0.2μm 237
-≥0.3μm 102
-≥0.5μm 35
-≥1μm 8.3
-≥5μm 0.29
(클래스 숫자 10배 할 때마다 저 입자 개수 10배씩)
(클래스 숫자가 커질수록 오염)
#8. 실리콘 웨이퍼 직경은 커지는 추세
: 경제성 측면에서 유리
-But 수율, 불량률 Control 중요

참고 자료

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