교류및전자회로실험 실험10-1_트랜지스터 증폭회로1 결과보고서

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목차

1. 실험 명 2
2. 실험 개요 2
3. 실험 결과 2
4. 결과 보고서 10
5. 실험 고찰 12

본문내용

1. 실험명
실험 10-1. 트랜지스터 증폭회로

2. 실험 개요
트랜지스터에 의한 소신호 증폭회로의 기본이 되는 common emitter 증폭회로를 만들어보고 그 동작을 확인함으로써 트랜지스터 증폭회로의 이해를 높인다. 이를 통해 바이어스의 개념과 적절한 바이어스에 의한 동작점의 설정, 교류등가회로, 입출력 임피던스가 갖는 의미를 이해하도록 한다.

3. 실험 결과
(1) 그림 9의 회로를 결선하고 함수발생기의 출력을 0으로 한 상태에서 트랜지스터의 컬렉터, 에미터, 베이스 단자의 전위를 측정하고 이로부터 동작점을 결정하라.
표 1. 그림 9의 회로도와 실제결선형태

<중 략>

4. 결과보고서
(1) 실험 1 항의 결과와 예비보고서 2 항에서의 결과를 비교 검토하라.
: 표2에서 예상 시뮬레이션에서 회로의 각 노드별 전위를 나타냈는데, 실제로 측정한 트랜지스터 각 단자에서의 전위가 예비보고서에서 작성한 답안과 예상 시뮬레이션에서 예측한 값과 거의 일치함을 확인했다. 표3의 VCE는 컬렉터단 전압과 에미터단 전압의 예상값과 실제 측정값을 뺀 결과이다. 또 IC는 에미터단의 전압을 에미터저항의 공칭값으로 나눈 에미터 전류값으로 이 전류는 컬렉터 전류와 거의 일치할 것이기 때문에 위와 같이 값을 작성하였다. VCE와 IC 로 이루어지는 동작점은 예상값과 실제 측정값을 바탕으로 계산된 값 간에 오차가 거의 없었다.
(2) 실험 2 항의 결과를 정리하고 그 관측결과에 대하여 기술하라.
: 표4에서 회로의 입력단에 정현파 10볼트를 인가하였을 때 베이스 단자를 제외한 다른 곳에서의 파형은 예상 파형과 거의 일치했다. Vg의 경우 입력 신호인 10볼트 정현파의 거의 모든 전압이 걸리는 것을 확인할 수 있었다. 예비보고서 4항에서 작성했던 입력 임피던스의 값이 약 537옴으로, Rg인 100k옴보다 매우 작기 때문에 입력전압이 Rg에 거의 모두 걸리는 것을 확인할 수 있다. 그리고 콜렉터단 전압의 경우 최대값이 9.4볼트, 최소값이 약 3.6볼트로 예상값인 최대값 8.4볼트, 최소값 약 3.5볼트와 약간의 오차가 있음을 확인했다.

참고 자료

없음