서강대학교 고급전자회로실험 3주차 예비/결과레포트 (A+자료)

목차

1. 실험 결과
2. 결과분석

본문내용

1. 실험 결과
실험 1. nMOS 정전류원 회로 (VDD = 6 V)
(myDAQ) VDD (myDAQ) = 5 V, VX (USB power supply) = 5 V 로 인가

[1.1] Vx = 6 V 로 고정하고, RREF를 가변저항을 이용하여 50 ~ 450 Ω 으로 변화시키면서 IREF를 측정하라. IREF = 20 mA(±2 mA)가 되는 RREF값은 얼마인가? 이 때 게이트 전압 VbG는 얼마인가?
((myDAQ) IREF = 27 mA)
RREF(Ω)*************0300350400450
IREF (mA)시뮬레이션58.4332.6322.8517.6514.4012.1810.569.3298.356
측정73.7639.7727.4620.6616.7414.0512.1210.689.55

시뮬레이션측정
RREF200Ω (22.85mA보다 17.65mA가 20mA에 더 가까워서)200Ω
VbG2.471V1.936V

시뮬레이션과 마찬가지로 RREF가 200Ω일 때 IREF = 20.66mA로, 20mA와 가장 근접한 값을 구할 수 있었다. 따라서 추후 실험에서 RREF를 200Ω으로 선택하였다. 이 때 VbG = 1.936V가 측정되었다.

[1.2] [1.1]에서 구한 RREF를 연결한 상태에서 Vx를 0 ~ 1.0 V는 0.1 V 간격, 1.0 ~ 6 V까지는 0.5 V 간격으로 증가시키면서 ISS를 측정하여 아래 표에 기록하라. ISS-Vx 그래프를 그리고, 1) ISS가 이 회로의 Vx에 거의 영향 받지 않는 범위는 어디인가? 2) 이 범위에서 ISS가 Vx에 따라 조금씩 변한다면 그 이유는 무엇인가?
(myDAQ) VDD에 myDAQ 5V 단자를, VX에 USB power supply를 사용(Vx는 0.5 V 이상에서 측정)

참고 자료

없음