[박막공학] MBE, CBE, GSMBE

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최초 등록일: 2004.11.02
최종 저작일: 2004.10; 27페이지/ MS 파워포인트; 가격 2,000원

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MBE는 10-10 – 10-11Torr 정도의 초고진공 속에서 다양한 결정의
구성원소가 함유된 cell을 가열하여 나오는 증기를 분자선 형태로 방출시켜 기판에 반도체,금속, 절연체 등의 얇은 양질의 에피층을 성장시키는 기술

♧ 장점
◈ 초고진공을 사용하기 때문에 챔버내 잔류불순물의 부착이 매우적어 고순도의
박막을 얻을 수 있다
◈ 증착속도가 대단히 느리기 때문에 단원자층 두께로 박막을 제어할 수 있다
◈ 기판에 도달한 분자들이 충분한 표면이동을 할 수 있기 때문에 큰 면적에서
원자단위 정도의 균일하고 평탄한 막을 얻을 수 있다
◈ 각 증착된 셀에 있는 기계공학적인 셔터나 각 셀의 온도를 제어함으로써 성장
방향의 혼정조성분포, 불순물 도핑의 분포를 고정밀도로 제어 가능
◈ 결정 성장 중에 성장층의 표면 혹은 분자선에서 성장조건에 대한 여러가지 정
보를 In-Situ장비로 관찰할 수 있어 성장제어에 feed-back 시킬 수 있다

참고 자료

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