[반도체공학] 반도체 공정 및 스퍼터링

소개글

반도체의 제조 공정 과정에 대해서 정리하고,
스퍼터링시 변수 2가지 (Voltage, Ar가스)에
변화를 주었을 때, 박막 두께가 어떻게 달라지는지
간략히 요약해봤습니다.

목차

- 반도체 제조 과정
1. 단결정성장
2. 규소봉 절단
3. 웨이퍼 표면연마
4. 회로설계
5. 마스크(Mask)제작
6. 산화(Oxidation)공정
7. 감광액 도포
8. 노광(Exposure)공정
9. 현상(Development)공정
10. 식각(Etching)공정
11. 이온주입(Ion Implantation)공정
12. 화학 기상 증착 (Chemical Vapor Deposition)
13. 금속 배선 (Metal Deposition)
14. 웨이퍼 자동선별 (EDS Test)
15. 웨이퍼 절단 (Sawing)
16. 칩 집착(Die Bonding)
17. 금속연결(Wire Bonding)
18. 성형(Molding)
19. 최 종 검 사 (Final Test)
- sputtering
- Evaporation
- 스퍼터링(Sputtering)시 전압(Voltage)과 박막의 두께(height)와의 관계
- 스퍼터링(Sputtering)시 Ar 가스의 압력(Pressure)과 박막의 두께(height)와의 관계

본문내용

★ 포토룸 공정 (7, 8, 9, 10)

SiO2막을 열산화 또는 증착 기술로 웨이퍼 상에 증착
감광제(photoresist)를 웨이퍼 전체에 골고루 바름.
HMDS : 감광제와 웨이퍼 접촉이 잘되게 함.
양성(Positive) 감광제 : 빛을 쪼인 부분의 화학결합이 약해짐.
도포된 포토리지스트를 살짝 구워서 건조시켜 웨이퍼 상의 패턴과 마스크상의 패턴을 정렬시킨 뒤 8.5초동안 365nm의 나노빔을 쏴서 사진을 촬영함.
현상액을 사용하여 빛을 쪼인 부분을 용해시키고 다시 건조시킴.
에칭 기술을 이용하여 포토리지스트가 덮여 있지 않은 영역의 산화막을 제거
남아있는 포토리지스트를 플라즈마를 이용하여 제거하고 웨이퍼를 DI워터로 세척함.
DI워터 : 이온이 전혀 들어있지 않은 순수한 물

참고 자료

반도체 공정기술 - 황호정, 생능 2003
반도체공정개론 - Jaeger, Richard C, 교보문고, 2002
기타 인터넷 자료