[논리회로, 회로이론] 게이트 특성 실험

목차

1. 목적

2.이론
A. <TTL과 CMOS비교분석>

3. 실험 방법
1) 입력전압의 변화에 따른 출력 전압의 변화
2) 게이트의 파괴점 측정
3) Vcc와 Vo의 관계측정
4) Vcc, Vi, Vo 의 관계측정
5) Floating input

4. 실험 결과

5. 고찰

본문내용

- 74LS00 IC 칩의 내부형태는 그림 1에서 보는 것과 같이 NAND Gate 4개로 이루어져 있으며 Function Table은 표 1에서 보는 것과 같은 상태를 보여주고 있다.

- 74LS00 IC 칩을 정상적으로 동작시키기 위해서는 VCC와 GND에 4.75V~5.25V 사이의 전압을 인가 시켜야 되고 High 상태가 되는 최소 전압은 2V이며 Low가 되는 최대 전압은0.8V 이다.
자세한 칩의 설명은 별지로 첨부 하였다.

- 본 실험에서는 74LS00 IC 칩의 입력 값(IA,IB)을 0V~5V까지 단계적으로 변환시켜 Gate의 정상동작 Voltage를 알아보고자 한다.

참고 자료

없음