[반도체 기초] 실리콘 단,다결정 성장 방법

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최초 등록일: 2004.12.06
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A+ 받았습니다~~ 물론 자료보다는 발표하시는 분이
어떻게 하시느냐가 중요하지만 자료는 부족함이 없으시리라고 봅니다~

본문내용

•실리콘의 용융온도; 1420℃
•가열방법; 흑연용기에 코일을 감은 다음 고주파 전류를 흘려 발열 (고주파유도용해로)
•사용도가니; 흑연도가니 내에 석영유리도가니를 넣어 사용
•고순도 Si 단결정; 저항이 큰 부도체
•종자단결정; 일정한 결정방위를 갖도록 제조
•종자결정을 용융액 표면에 댄 다음 돌리면서 서서히 위쪽으로 끌어올려 냉각시키며 제조
•최대직경 ;25cm(직경이 클수록 불균질해짐)
•직경이 클수록 종자결정이 있는 부위가 깨질 우려 있음
•산소와 탄소가 어느정도 불순물로 혼입되나 전기저항에는 별영향 無

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