[반도체공정]반도체공정

소개글

제가 대학교에서 배운 반도체 공정에 대하여 정리 해놓은 것입니다.

목차

①산화(Oxidation) 공정

②확산(Diffusion) 공정

③이온 주입법(Ion Implantation)

④리소그라피(Lithography) 기술

⑤에칭(Etching) 공정

본문내용

①산화(Oxidation) 공정
실리콘 웨이퍼 표면을 산화시키는 공정을 산화(oxidation)라고 하며, 웨이퍼 표면에 형성된 산화 실리콘 층을 산화층 또는 산화막이라고 부른다. 산화 실리콘은 낮은 상대 유전률을 갖은 유전체로써 비교적 높은 절연 파괴(breakdown)특성을 갖는다. 따라서 산화층은 주로 불순물 확산에 대한 보호층과 절연층으로써 사용된다. 특히, 평면 공정(planar process) 구조로 제작되는 집적 회로에 있어서 산화층은 전기적인 상호 배선간의 절연을 위한 필수적인 공정이다. 산화층의 주된 역할은 다음과 같다.
②확산(Diffusion) 공정
웨이퍼 표면에 열 에너지를 이용하여 불순물 원자를 표면 안으로 주입시켜서, 웨이퍼 내부와 상이한 불순물 분포층을 형성하는 공정을 확산(Diffusion)이라고 한다.
③이온 주입법(Ion Implantation)
확산은 적당한 도펀트 농도와 온도가 있으면 일어나는 자연현상이다. 그러나 이온주입은 자연히 일어나는 일이 아니라 이온주입기계가 벽에 총을 쏘는 것과 같이 이온화된 도펀트를 사용하여 이온주입을 시키는 것이다.
④리소그라피(Lithography) 기술
리소그라피(lithography) 기술은 그래픽 이미지를 가진 마스크(mask)를 실리콘 웨이퍼의 표면 위에 그대로 옮겨서 원하는 패턴을 형성하는 기술이다. 리소그라피 기술은 패턴을 형성하는 방법에 따라 광 리소그라피(photo lithography), 전자 빔 리소그라피(Electron Beam Lithography, EBL), X-레이 리소그라피(X-ray lithography) 방법으로 구분한다. 광 리소그라피 방법은 빛을 이용하여 패턴을 훼이퍼 표면에 형성하는 기술이다.

참고 자료

단위공정
http://w3.kunsan.ac.kr/~material/txt/semiconducter/unitprocess.doc
에칭
http://microsensor.kyungpook.ac.kr:8080/upload20/files/
이온주입공정
http://mme.yu.ac.kr/kcho/lectures/da453/Thin4-1.hwp
http://www.ever-tek.co.kr/data/technical01_2.htm
http://microsensor.kyungpook.ac.kr:8080/upload20/files/etching[1].hwp
반도체제조공정
http://www.antechnology.com/html/semicon/process_03.htm