[나노구조] 나노스프링 구조

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1차원 나노와이어는 이들이 가지는 전기적, 광학적, 기계적 특성으로 인해 과학적으로나 기술적으로 관심이 집중 되었다. 이 나노와이어는 scanning probe microscope에 사용되어 질 수 있으며, 평판 디스플레이에 응용되어 질 수 있다. 이중 SiC는 이것의 고온에서와 전기적 전도성, 기계적 특성으로 인해 특히 관심을 받는 재료이다. 몇몇 단체에서는 다양한 기술로 성공적으로 SiC를 합성하였다. 예를 들어 Dai et al. 에서는 SiC 나노로드를 CNT와 SiO 또는 Sil2를 이용하여 제조 하였으며, Meng과 Co-worekers는 SiC 나노로드를 carbonthermal을 이용하여 합성 하였다. 모든 경우 SiC는 결정질이며 β-SiC구조를 갖는다. 최근 Zhang et al에서는 나선형 구조를 가진 SiC/SiO2 결정질핵-껍질 나노와이어를 발견 하였고, 이 원인은 screw-dislocation에 의해 일어나는 것을 알아냈다.
이보다 전에 발견된 BC 나노스프링과 이 나노구조에는 약간의 차이가 있다. 첫째로 BC 나노스프링은 비정질로 이뤄진 반면, SiC 나노와이어는 핵부위가 결정질이며, 외각으로 비정질이 감싸고 있다. 둘째, BC의 스프링 반지름과 pitch의 비율은 거의 0에 가깝지만 SiC나노 와이어는 0.20의 비율을 갖는다.

참고 자료

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