[전자회로] 전자회로기초실험

소개글

전자회로기초실험 "예비보고서", "이론 부분"이구요
그림이랑 제가 직접 그려넣었습니다.
편집은 따로 하실 필요없게 깔끔하게 해놨구요. 내용 빠진 부분은 거의 없습니다.

단, 목차이외의 다른 챕터 이론은 없으니(저희는 이 부분만 해서..) 유의하세요.

목차

☆옴의 법칙, 키르히호프의 법칙
☆중첩의 원리
☆노턴의 정리
☆브리지 회로
☆최대 전력 전송 정리
☆RC, RL, RLC 회로의 임피던스 및 전력 측정
☆접합 다이오드
☆지너 다이오드
☆필터

본문내용

☆접합 다이오드

(1) 반도체(semiconductor)
비저항값이 도체와 절연체의 중간 정도에 있는 전자 재료로써 반도체 소자는 제
어 기능을 수행하며 증폭기, 정류기, 검출기, 발진기, 스위칭소자 등으로 이용된다.
1) 반도체를 재료로 하는 전자소자들의 예
- 트랜지스터, 접합 다이오드, 지너 다이오드, 터널 다이오드, 직접 회로,
금속정류기
2) 장점
① 온도, 습도 등의 외부환경 조건에 덜 민감하고 견고하다.
② 반도체는 전력 소비가 작고, 열의 방사가 작다. 예열 시간이 필요 없으므로
전력을 인가하면 바로 동작한다.

(2) 반도체 재료와 불순물
대부분의 반도체 소자는 게르마늄(Ge)보다 열에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 실리콘은 반도체 물질로 사용되기 전에 아주 고순도로 정제되어야하며 이런 반도체는 전기 전도도가 매우 낮다. 즉, 비저항이 크다. 실리콘의 전기 전도도는 미량의 특정 '불순물(impurity)'을 첨가함으로써 증가될 수 잇다. 불순물의 종류와 양을 제어해서 첨가하는 것을 도핑(doping)이라고 하며, 도핑은 반도체 원소 원자 내 전자 결합 구조를 변화시켜 전류에 기여하는 캐리어(carrier)를 제공함으로써 반도체의 전기 전도도를 증가시킨다
① N형 실리콘
- 비소(As)나 안티몬(Sb)으로 도핑한 실리콘으로 As나 Sb같은 불순물들은 부전
하(negative charge)를 띤 캐리어, 즉 자유 전자의 수를 증가시킴으로써 실리콘
의 전기 전도도를 증가시킨다. N형 실리콘에도 정전하인 정공(hole)이 존재하기
는 하지만 그 수는 미미하기 때문에 소수 캐리어라 한다. N형 실리콘에서의 전
류의 흐름은 다수 캐리어인 자유 전자의 흐름에 기인한 것으로 간주한다.
② P형 실리콘
- 인(P)이나 갈륨(Ga)같은 불순물은 정전하 캐리어인 정공의 수를 증가시킴으로
써 전기 전도도를 증가 시킨다. P형 실리콘 내의 자유 전자는 소수 캐리어이고,
P형 실리콘의 전류의 흐름은 다수 캐리어인 정공에 의한 것이다.

참고 자료

없음