[전자공학실험] 접합 트랜지스터의 특성

소개글

실험 1. 베이스 전압을 증가시키면서 VBE, VBC, VCE간의 전압, 그리고 IC와의 관계를 확인하라. 각 상태에 따라 TR의 3가지 상태를 확인하라.(NPN, PNP)

실험 2. TR의 전류이득 파라미터인 α와 β를 구하여라

실험 3. TR의 VCE-IC 특성곡선을 조사하고 실험을 통해 확인하라.

실험 4. TR은 Switch로도 응용된다. V1은 0V 혹은 1.5V의 두 값을 가진다. 0V일 때는 LED가 꺼지도록 하고 1.5V일 때는 LED가 켜지도록 회로를 구성하라.

접합트랜지스터의 특성에 대해서 실험을 한 레포트 입니다. 약 30페이지에 달하는 분량으로 실험의 핸드아웃 또한 맨 마지막 장에 첨부하였습니다.

목차

1. Title
2. Abstract
3. Background
4. Simulation
5. Experiment
6. Analysis
7. Conclusion
8. References

본문내용

1. Title
접합트랜지스터의 특성

2. Abstract
트랜지스터를 한마디로 표현하자면 「전기 신호를 증폭·제어·발생하는 데 사용 하는 고체 소자」정도로 얘기할 수 있을 것이다. 트랜지스터는 휴대용 계산기 와 라디오에서부터 산업용 로봇과 통신위성에 이르는 여러 가지의 전자 장비에 널리 사용된다. 트랜지스터는 1947년 벨 전화연구소에 있던 3명의 미국의 물리 학자 존 바딘, 월터 H. 브래튼, 윌리엄 B. 쇼클리에 의해 발명되었다. 이것은 진공관을 대체할 수 있다고 증명되었으며 1950년대 후반에는 여러 응용분야에 서 진공관 대신 사용되게 되었다. 트랜지스터는 전자공학의 발전에 지대한 공 헌을 했는데 소형, 소량의 열발생, 높은 신뢰성, 상대적으로 소량의 전력 소모 에 의해 컴퓨터에 필요한 복잡한 회로의 소형화가 가능하게 되었다. 1960년대 후반과 1970년대에는 개개의 트랜지스터 대신 여러 개의 트랜지스터 및 다이오 드와 저항기 같은 소자가 작은 반도체의 칩 위에 내장되어 있는 집적회로를 사 용하게 되었다.
트랜지스터는 비소나 붕소 등 여러 가지 불순물을 실리콘에 첨가하여 여러 층 의 반도체로 이루어져 있다. 이와 같은 불순물에 의해서 전류가 실리콘 내부를 이동하는 방법을 변화시키게 된다. n-형 반도체에서는 전하의 운반자가 주로 자유전자가 되며, p-형 반도체에서는 양공(즉 3개의 외각전자를 가지는 붕소원 자가 4개의 외각전자를 가지는 실리콘을 대체하면 빈공간, 즉 양공이 공유전자 에너지 띠에 생기게 됨) 반도체의 양공은 전자와 유사하게 움직이는데 양의 전 하를 띠기 때문에 전자와는 반대방향으로 움직인다. 트랜지스터의 종류에는 쌍 극성 접합 트랜지스터(BJT)와 전계 효과 트랜지스터(FET)가 있는데 이번 실험 에서는 쌍극성 접합 트랜지스터에 대해서 알아 볼 것이다. 트랜지스터의 기본구조와 동작원리 및 증폭기, 스위치로서의 역할을 살펴보고 실험을 통해 확인해보자.

참고 자료

· Electronic Devices(5TH Edition) / Thomas L.Floyd / Prentice Hall / 1999
· 전자회로 / 김동식 / 생능출판사 / 2004.3.10 / 서울
· Laboratory Manual for Microelectronic Circuits(3RD Edition) / Adel Sedra / K.C.Smith / Oxford University Press / 1991
· Electronic Devices and Circuit Theory(7TH Edition) / Robert L.Boylestad / Louis Nashelsky / Prentice Hall / 1999