[반도체공정] Photoresist 및 OF

소개글

반도체 공정에 필수 chemical인 Photoresist에 관한 소개 및 향후 기술 자료

목차

- 서론 -

- 본론 -
1. LITHOGRAPHY

2. PHOTORESIST
2-1. photoresist의 분류
1) 극성에 의한 분류
2) 광반응 메커니즘에 의한 분류
3) 노광원에 의한 분류
2-2. photoacid generator (PAG)

3. PHOTORESIST 반응 및 최근 개발 동향
3-1. Photoresist의 반응
3-2. 최근 개발 동향
1) RET ( 해상도 향상 기술 . Resolution Enhancement Techniques)
2) 157 nm 포토레지스트
3) 해결해야 할 과제
4) 157 nm 포토레지스트용 고분자....
가) 실록산계 고분자..
ㄱ) PDMS (poly dimetyul siloxane )
ㄴ) poly dimethyl siloxane-co-tertiary-butyl methacrylate
ㄷ) PMSA (poly methyl silsesquioxane)
ㄹ) ethyl POSS (polyhedral oligomeric silses quioxanes)

나) Fluorocarbon 계 고분자
* 첨가제..
* 용해억제제의 기본적인 요구..
다)문제점
ㄱ) 실록산계 고분자의 문제점
ㄴ) 내에칭성 - 157 nm 포토레지스트의 또 다른 문제점

3-3. 내에칭성 - 157 nm 포토레지스트의 또 다른 문제점

4. OTFT 관련 유전 물질

5. 기타(ferroelectrics 등) 물질

- 결론-

본문내용

Lithography란 원래는 석판인쇄술 등을 지칭하는 말이었으나 현재는 식각공정, 주로 반도체 제조 공정을 이야기 한다. 반도체 제조공정은 실리콘기판 위에 회로를 깎아 넣는 공정으로 광원을 마스크를 통해 주사하면 마스크의 영상이 실리콘 기판 위에 쏘아지게 되는데 이때 필요한 것이 photoresist(PR)로서 광반응을 할 수 있는 물질이다. 이 PR의 특성에 따라 positive, negative형으로 나뉘는데 초미세 공정에는 주로 positive형이 많이 쓰인다. 광원을 쏘아준 후에는 etching과정과 ashing과정이 있다. 이렇게 patterning 과정 모두를 lithography라 한다.

Photoresist 또는 resist 재료는 자외선 (파장 180~400nm) 또는 X-ray, 전자선과 같은 방사선에 의해 화학반응이 일어나 일반적으로 용해도 특성이 변화되는 감광성 고분자 또는 감방사선 고분자 물질을 말한다.

즉 미세회로가 그려진 포토마스크를 통해 빚 또는 방사선 에너지가 조사된 부분에서 화학 반응이 일어나 조사되지 않은 부분에 비하여 더욱 가용성이 되거나 불용성이 되어 이를 적당한 현상액으로 현상하면 각각 포지티브형 또는 네가티브형 미세화상의 패턴을 얻게 된다.

다음 단계인 실리콘 wafer 기판의 etching 공정시 이렇게 만든 레지스트 미세화상이 보호피막으로 작용하여 기판에 원하는 삼차원적인 미세회로의 제작이 가능하게 된다. 따라서 레지스트 재료는 고집적 반도체의 초미세 회로 선폭을 결정하여 주는 제 1차의 기술재료로서 반도체의 고집적도의 달성을 결정짓는 핵심적 최첨단 기술재료이다.

참고 자료

http://cera.kyungpook.ac.kr/labs/dml/introduction/main.phtml