[광전자] 광감성 포토레지스트를 이용한 패턴 형성 실험

소개글

광감성 포토레지스트를 이용한 패턴 형성 실험에
대하여 쉽게 잘 이해할 수 있을 것입니다

목차

1.이 론
1-1. LITHOGRAPHY의 정의
1-2. PHOTORESIST(PR)의 정의
2. 실험 순서
가.웨이퍼(wafer)세척
나. Γ-APS Coating
다. PR Coating
라. Soft Baking
마. 노광(Exposure)
바. Post Baking
사. Development
3.결론 및 고찰

본문내용

● 광감성 포토레지스트를 이용한 패턴 형성 실험 ●
1.이 론
1-1. LITHOGRAPHY의 정의
LITHOGRAPHY는 원래는 석판인쇄술 등을 지칭하는 말이였으나 현재는 식각 공정, 주로 반도체 제조 공정을 애기한다. 반도체 제조공정은 실리콘 기판위에 회로를 깍아 넣는 공정으로 광원을 마스크를 통해 주사하면 마스크의 영상이 실리콘 기판위에 쏘아지게 되는데 이때 필요한 것이 photoresist(PR)로서 광반응을 할 수 있는 물질이다. 이 PR의 특성에 따라 positive와 negative형으로 나뉘는데 초미세 공정에는 주로 positive가 많이 쓰인다. 광원을 쏘아준 후에는 aching 과정과 ashing 과정이 있다. 이러한 patterning과정 모두를 LITHOGRAPHY라 한다. 즉 LITHOGRAPHY는 photoresist(PR)를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다.

1-2. PHOTORESIST(PR)의 정의
포토레지스트(PR)는 설계된 회로를 웨이퍼(wafer)에 전사시킬 때 빛의 조사 여부에 따라 달리 감응함으로써 미세 회로 패턴을 형성할 수 있도록 하는 노광(exposure)공정용 감광재료를 말한다. 즉 이는 자외선을 쪼이면 그 특성이 변하는데 그 성질을 반도체 공정 등에 이용한다. 물질(보통은 반도체 웨이퍼)표면에 도포한 후 그 위에 어떤 패턴이 새겨져 있는 마스크를 접촉시키고 자외선을 쪼이면 마스크의 패턴에 따라 어떤 부분은 자외선을 받고 다른 부분은 받지 않고 하는데 그러면 이 웨이퍼를 현상액에 담근다. 그때 PR의 특성이나 공정 조건에 따라 자외선을 받은 부분만 PR이 지워지던가 남던가 하게된다. 결과적으로 마스크의 패턴대로 또는 그 역상으로 PR 패턴이 형성이 되고, 그 후 공정으로 에칭을 하든지 뭘 하든지 해서 원하는 구조를 만들게 되는 것이다.

참고 자료

▶http://sssilicone.co.kr,
▶http://www.semimaterials.com/kor/korean/process/device_wafer1.html
▶http://infochem.hanyang.ac.kr/files/%C8%AD%B0%F8%B0%B3%B7%D0.pdf
▶http://kin.naver.com/browse/db_detail.php?dir_id=110209&docid=442400
▶개인논문(친수성 코팅필름 제조시 코팅막 특성에 미치는 APS첨가의 효과)-주소미상