[물리]반도체다이오드(정류회로)[예비][결과]리포트

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목차

실험제목 : 반도체 다이오드

예비리포트
1.실험목적
2.실험이론
3.실험방법

결과보고서
1.실험층정
2.실험결과
3.실험고찰

본문내용

Ⅱ. 실험 이론
게르마늄(Ge)과 실리콘(Si)은 Ⅳ족 원소로서 이들 원소의 각 원자는 이웃 4원자의 4개의 전자를 공유하는 결정 상태에 있다. 여기서 Ⅴ족의 불순물을 첨가시켜 전자의 이동을 자유롭게 하는 것을 n형 반도체라고 하며 이러한 결정에서 전류는 음전하의 이동으로 구성된다. 이와 반하여 갈륨(Ga)과 같은 Ⅲ족 원소를 첨가하여 만들어진 결정은 전기적으로 n형과 아주 다른 p형 반도체를 형성한다.
-중략-

Ⅲ. 실험 방법
1) 실험 준비물
- p-n접합 다이오드(1N5402) 또는 유사 다이오드, 전압계(VTVM),전류계(DC,㎃ 또는 ㎂단위), DC 가변전원(0~50V DC), 가변저항기, 저항(100Ω, 30㏀)
2) 실험 전 준비 및 질문
① 1N5402 다이오드의 극성을 확인한 후 그림 4(a)와 같이 다이오드를 순방향이 되게 회로를 만든다.(전류계 눈금 범위는 눈금 범위 중 가장 큰 단자와 COM단자를 사용하고 전압계는 1V DC단자와 COM단자를 사용하고 다이오드 양단에 걸리는 전압이 0V가 되도록 가변 전원조절한다.)
② 다이오드 양단에 걸리는 전압을 0.1V씩 증가하면서 0.1V에서 0.8V까지 가변전압을 변화시켜 그때의 각각의 전류를 측정하여 표에 기록하고 전압 대 전류의 그래프를 그린다. 각 전압에 대한 순방향의 저항값을 계산한다.

참고 자료

없음