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[결정구조]실리콘(Si)와 갈륨비소(GaAs)의 D-S Simulation

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최초 등록일
2005.11.30
최종 저작일
2005.11
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소개글

실리콘과 갈륨비소의 구조인자로 회절될 수 있는 peak를 알 수 있다.

목차

1. Si의 D-S Camera 결과 Simulation Data (target: Cu Kα X-ray λ=1.542Å)
2. GaAs의 D-S Camera 결과 Simulation Data (target: Cu Kα X-ray λ=1.542Å)
3. 참고자료

본문내용

본문은 없고. 주로 계산된 표입니다.
참고하시길 바랍니다.

참고 자료

web address : http://www.edu.ioffe.ru/register/?doc=galperin/l1pdf3
Yu.M.Galperin - Introduction to Modern Solid State Physics
1.3 X-Ray Diffraction in Periodic Structures
Scattering Factor part
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