[일반 전자]Junction diode characteristics

소개글

일반전자 공학 시간에 실험한 내용으로 데이터와
결과 분석이 잘 정리되어있습니다

목차

1. Objectives
2. Theory
3. 실험 결과 및 Data
4. Discussion

본문내용

1. Objectives
1. To measure the effects of forward and reverse bias on current in a junction diode
2. To determine experimentally and graph the voltampere characteristic of a junction diode
3. To test a junction diode with an ohmmeter

2. Theory
p-n 접합형 다이오드의 동작원리는 오른쪽 그림과 같이 전압E를 걸어줄 때, p쪽에 (+)를 n쪽에(-)전압을 걸어주는 경우를 순 바이어스 전압을 건다고 하고, 이 때 p층 내부영역의 hole은 n쪽으로, n층 내부의 전자는 p쪽으로 이동하고 외부 회로에는 순방향 전류 IA가 흐른다.
이 전류는 거의 IA = IS·eqV로 표시된다. 여기서 IS는 포화 전류로서 ,다이오드의 개별적 물성에 관한 항이며, 역방향 연결시의 포화누설전류이기도 하다. 또, q는 전자 혹은 hole의 전하량이고, V는 부가전압이다. Fig. (c)는 (b)와의 역방향으로 전압 V(역 바이어스 전압)를 걸어 줄 때의 그림이고, p층 내의 hole 및 n층의 전자는 각각의 전극 쪽으로 끌려간다.

이 결과 hole과 전자가 이동해 가버린 후의 빈 영역을 결핍층(depletion layer)이라 부른다. 이 층에는 전기전도에 기여할 수 있는 자유전하가 없고 마치 절연체와 같이 된다.

순방향 바이어스의 경우에는 작은 전압에도 많은 전류가 급격히 흐르지만 ,역방향 바이어스의 경우에는 많은 전압을 걸어주어도 거의 전류가 흐르지 않는다.

참고 자료

- circuits, devices and systems -Ralph j. smith
- http://dyon.postech.ac.kr/Edulab/gen-phy2/exp9/exp9.html
- 두산 엔사이버 백과사전