[화학]원자가껍질 전자쌍 반발이론(VSEPR 이론)

소개글

화학 계열의 학생에게 유익한 자료입니다^^

목차

1. VSEPR 이론이란?
2. VSEPR 이론의 기본 가정
3. 규칙
4. VSEPR이론 적용 순서
5. VSEPR이론의 적용

본문내용

1. VSEPR 이론이란? 원자의 원자가껍질에 있는 전자쌍은 서로 반발하며, 전자쌍(고립전자 쌍, 공유된 전자쌍)은 반발을 최소화하기 위해서 가능한 서로 멀리 떨어져 위치한다. 분자의 구조는 전자쌍의 상대적인 위치에 따라 정 해진다. 분자의 기하학적 구조를 알기 위해서 입체수 SN(steric number)을 정한다. 화합물의 기하구조를 예측하는 도구.
SN = 중심원자에 결합되어 있는 원자수 + 중심원자의 고립전자쌍수

2. VSEPR 이론의 기본 가정
전자쌍 (=전자 고밀도 영역)이 서로간의 반발력이 최소화 되도록 중심원자 주위에 배열

3. 규칙
반발력이 최소가 되는 기하학적 모양
전자쌍 개수 전자 기하학 (전자쌍 배열)
●기하구조의 배열
○ 선형(linear)구조 - AX2형
BeF2의 경우 두 개의 Be-F결합들이 존재하고 각 F원자의 주위에 3쌍씩의 비공유전자 들이 존재한다. 이 경우 Be-F결합에 참여한 결합전자쌍들 사이 의 반발과 F원자 주위의 비 공유전자쌍들 사이의 반발을 최소화 하기 위해서는 두 개의Be-F결합들이 서로 정반대(180o)방향으 로 위치해야 한다. 따라서 BeF2의 기하구조는 선형이다.
○ 삼각평면(trigonal planar)구조 - AX3형
BF3의 경우 3개의 B-F결합들이 존재하며 F원자들 주위에 각 각 6개의 비공유전자들이 존재한다. 이 경우 비공유전자쌍들 사 이의 반발을 최소화하기 위해서는 이들이 삼각형의 꼭지 점들에 위치(120o)해야 한다.

참고 자료

없음