[반도체공정]반도체 기초공정

소개글

반도체 기초공정 및 증착 에칭에 관한 내용을 알기쉽게 기술한것입니다.

목차

1. Ultra-High-Vacuum? (고진공이란?)

2. Wafer cleaning (반도체 세정)

3. Metal Deposition-Evaporation/Sputtering

박막증착에 관한 전반적 개요와 방법

4. Photolithography (포토레지스트)
1) PR Coating
2) Exposure(노광)
3) Develop(현상)

5. Ecthing
1) Plasma Ecther
2) Dry Ecther
3) plasma etcher 란?

본문내용

3. Photolithography
1) PR Coating
PR Coating이라 함은 분사된(Dispense) Liquid(액상) PR을 높은 회전수로 회전시켜 균일한 얇은 막의 형태로 기판 전체를 도포시킨 후 일정온도에서 Baking하여 PR의 용제(Solvent)를 기화?제거시켜 단단하게 만드는 과정을 말한다.
PR(Photo Resist)이란 특정 파장대의 빛을 받으면(노광: Photo Exposure) 반응을 하는 일종의 감광 고분자 화합물(Photosensitive Polymer)이다. 이때 반응이라 함은 PR의 일정 부분이 노광 되었을 때 노광된 부분의 Polymer 사슬이 끊어지거나 혹은 더 강하게 결합하는 것을 의미한다.
일반적으로 노광된 부분의 Polymer 결합사슬이 끊어지는 PR을 Positive PR이라 하며 그 반대의 경우를 Negative PR이라 한다. 또한 그 형태에 있어서 액상(Liquid) PR과 Film Type으로 구분한다. 일반적인 Thin Film Process에서는 반응성(Sensitivity, Contrast 등)의 우수함으로 인해 AZ 계열의 Positive Liquid PR을 사용한다. 그러나 특수한 경우, 예를 들어 Cyan Type Gold Plating 공정에 있어, Ca(Chemical Amplification; 화학증폭) Type의 Negative PR을 사용하기도 한다. Thin Film Hic 공정에서는 Resistor Patterning 등에는 Positive PR을, 도금 공정에는 Negative PR을 사용한다. 또한 Liquid Type의 일반 PR이 아닌 Film Type의 Dry Film을 사용하기도 하며 이 경우 Spin Coating 대신 Laminating 공정을 통해 PR을 Coating 한다.
 
2) Exposure(노광)
노광이란 Photo Mask를 통해 자외선 영역의 빛을 조사(照射)함으로서 Mask상에 형성된 미세회로 형상(Pattern)을 Coating된 PR에 전사(轉寫)하는 과정을 말한다. Mask의 Pattern은 얇은 Cr 막으로 형성되어 있으며 Cr Pattern 위에 조사된 빛은 반사되어 PR을 감광시키지 못하며 Cr이 없는 부분은 투과하여 PR을 감광시킴으로써 Coating된 PR에 미세회로 형상을 전사시킨다.
PR의 종류에 따라 Mask 또한 Negative 혹은 Positive로 분류되며 Positive PR에 Positive Mask를 사용하거나 Negative PR에 Negative Mask를 사용하면 PR에는 원상(Original Image)이, 그 외의 경우에는 역상(Reverse Image)이 형성된다.
노광과정에는 Mask Aligner라고 하는 노광장비가 사용되는데, Aligner라고 부르는 이유는 미세회로 형상의 위치를 정밀하게 제어하는 것이 중요하기 때문이다.
 
3) Develop(현상)
현상이란 노광 과정을 통해 상대적으로 결합이 약해져 있는 부분의 PR을 용제를

참고 자료

없음