[기초재료실험]신소재(XRD)논문 설명 및 해석

소개글

Dependence of the structural and the optical properties of ZnGa2O4
phosphors on the mixture molar ratio of ZnO and Ga2O3

논문에 각 그림별 설명 및 해석

목차

없음

본문내용

이 논문은 ZnO와 Ga2O3의 혼합 몰비에 따른 ZnGa2O4 형광체의 구조적인 특성과 광학적인 특성을 연구한 논문입니다. 최근에 ZnGa2O4 형광체는 저 전압에서 작동되는 FED로의 많은 응용 때문에 부분적으로 관심을 끌고 있습니다. ZnGa2O4가 두 가지(ZnO, Ga2O3) 산화물로 합성되어 있는데 그것이 스피넬구조를 가지고 있으며 4.4eV의 광학 밴드갭을 가지고 있습니다. 수명을 측정했을 때 ZnGa2O4 형광체는 고온에서 화학적 안정성 특성이 우수합니다. 우리가 조사하는 목적은 ZnGa2O4의 비 화학양론이 과잉된 ZnO 또는 Ga2O3를 명확히 하기 위해서이며, ZnGa2O4 비 화학양론은 우리의 과제를 나타내고 있습니다. 많은 연구원들이 이 분야에서 애매한 문제를 나타내고 있습니다. ZnO와 Ga2O3의 혼합 몰비에 따른 ZnGa2O4 형광체의 상 영역을 조사하면 XRD 측정을 수행할 수 있고, CL 측정은 샘플의 발광 색깔의 움직임의 관찰로 측정할 수 있습니다. XRD 분석 프로그램을 이용하여 격자상수를 얻을 수 있습니다.
그림 1(왼쪽 그림)은 ZnO와 Ga2O3의 다양한 혼합 몰비에 의한 ZnGa2O4 형광체의 XRD 패턴을 묘사한 것입니다. 비워지고 채워진 역삼각형은 각각의 ZnO와 Ga2O3 반응물이 일치하는 피크를 나타내고, 반쯤 채워진 역삼각형은 반응물이 11 혼합 몰비로 생성된 ZnGa2O4 각각의 피크를 나타내고 있습니다. ZnO와 Ga2O3 반응물의 혼합 몰비가 11일 때, ZnO와 Ga2O3의 반응물은 나타나지 않습니다. 그림1에서는 단상의 ZnO 또는 Ga2O3, 과잉된 ZnO 또는 Ga2O3의 몰이 11인 것을 보여주고 있습니다. ZnO와 Ga2O3 반응물의 혼합 몰비에 따라 ZnGa2O4 내에서의 ZnO의 잔여량과 Ga2O3의 잔여량을 생산합니다. 결론적으로 그림1에서는 각각의 몰비에 따라 XRD 피크가 다르게 나타나는데 이것을 통해서 각각의 혼합 몰비가 ZnGa2O4의 결정성장거동을 변화시키는 것을 알 수 있습니다. 따라서 결정학적 측면에서는 ZnO와 Ga2O3의 혼합 몰비가 전체적으로 ZnGa2O4의 결정구조상 격자상수 값의 변화를 야기 시키는 것을 알 수 있습니다.

참고 자료

경기대학교 전자도서관 싸이언스 부분