[반도체공학]반도체 공정

소개글

반도체에 전반적인 공정에 대한 소개

목차

없음

본문내용

■ 대분류
회로설계 ⇒ 패턴설계 ⇒ 마스크제작 ⇒ 웨이퍼 프로세스(전공정),기판공정(FEOL) ⇒
Si다결정제조 ⇒ Si단결정제조 ⇒ 경면 Si웨이퍼제조 ↗
⇒ 배선공정(BEOL) ⇒ 조립공정(후공정) ⇒ 검사공정(후공정) ⇒ 신뢰성검사공정(후공정)
⇒ 제품출하

■ 소분류
○ 기판공정(FEOL)
에피택시얼층 형성 ⇒ 아이솔레이션(트렌치.LOCOS) ⇒ 웰 형성(n웰.p웰) ⇒ 게이트산화막
⇒ 게이트전극형성 ⇒ 스페이서형성 ⇒ 커패시터 구조형성(DRAM) ⇒ 소스드레인형성 ⇒
배선 전 층간 절연막형성 ⇒ 평탄화공정 ⇒ 콘택트 홀 형성 ⇒ 콘택트 플러그형성

○ 배선공정(BEOL)
콘택트 형성 ⇒ 배선패턴 형성(베리어층,메탈층,방사방지막) ⇒ 층간 절연막형성 ⇒ 평탄화공정
⇒ 비어 홀 형성 ⇒ 비어 플러그 형성 ⇒ 배선패턴 형성(베리어층,메탈층,방사방지막) ⇒
<반복공정> ⇒ 패시베이션

■ 웨이퍼 제조(실리콘)
○ 다결정 실리콘
실리콘은 천연적으로 지표의 약 28%나 존재한는 원소로서 주로 산화물(규석)이나 규산염
의 형태로 존재한다. 규석을 코크스와 함께 전기로에 넣어서 용융 후에 화학 처리를 하면
순도 98%정도의 실리콘이 얻어진다. 이 실리콘을 가스 형태의 실리콘으로 바꾸어 열처리하면
순도 99.999999%의 다결정 실리콘을 얻게 된다
○ 단결정 실리콘
집적 회로 제작에 사용되는 실리콘 웨이퍼는 단결정이어야 하므로, 물리적인 정제 방법을
사용하게 된다

참고 자료

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