[전기]PN 접합 다이오드 특성

소개글

pn 접합 다이오드의 특성

목차

1. n형 물질.

2. p형 물질.

3. pn 다이오드.

1) 무 바이어스.
2) 순방향 바이어스.
3) 역방향 바이어스.
4) 전류-전압 특성곡선
5) 실리콘, 게르마늄의 전류-전압 특성곡선.

본문내용

1.n형 물질
①실리콘에 최외각 전자수가 5개인 불순물을 첨가하여 만듬.

②5가 원소로는 안티몬(Sb), 인(P), 비소(As) 등.

③실리콘에 n형 불순물을 첨가하면 자유전자의 수가 크게 증가.

④전도도가 크게 증가.

1.n형 물질


도너(donor) : 5가 원소

안티몬(Sb), 비소(As), 인(P)
2.p형 물질
①실리콘에 최외각 전자수가 3인 불순물을 첨가하여 만듬.

②3가 원소로는 인듐(In), 갈륨(Ga), 붕소(B) 등.

③p형 불순물을 첨가하면 정공의 수가 크게 증가.

④전도도가 크게 증가.

2.p형 물질


억셉터(Acceptor) : 3가 원소

붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In)

3. pn접합 다이오드

① p형 과 n형 물질을 접합.

② n형 물질의 자유전자가 p형 물질의 정공 위치로 이동.

③ 자유전자나 정공이 없는 전하발생(공핍영역).



④N형 으로 부터 P형 물질로 넘어간 빈자리는 + 전하.

⑤P형 물질의 정공 자리에 전자가 채워진 자리는 – 전하.

⑥접합부에 전위차 발생 (cut-in voltage)

3.pn접합 다이오드
1) 바이어스가 가해지지 않은 상태.

① 외부에서 전압을 인가하지 않은 상태.

② 표동 및 확산 전류는 0 .

3.pn접합 다이오드
1) 바이어스가 가해지지 않은 상태.
3.pn접합 다이오드
2) 순방향 바이어스(forward bias)

① p형쪽에 (+), n형쪽에(-)전압을 인가했을때.

② p형쪽의 정공은 n형쪽으로 가서 소수 캐리어가됨.

③ n형쪽의 전자는 p형쪽으로 이동해 소수 캐리어가됨.
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참고 자료

없음