[기계공학]노광기

소개글

[프로젝트 5]
CPU 메모리등의 고집적 초미세 반도체 제조공정에서 중요한 노광기 제작에 요구되는 필수적인 기술에 대하여 조사하고 노광기의 동작원리와 7세대 LCD제작에 사용할 수 있는 노광기의 대략적 구상도를 설계(크기, 구동원리를 제시)

목차

1. 노광장비
2. 리소그래피
3. 리소그래피 공정
4. 고집적 초미세 반도체 제조공정에 요구되는 노광기술
5. 노광기의 작동원리

본문내용

[프로젝트 5]
CPU 메모리등의 고집적 초미세 반도체 제조공정에서 중요한 노광기 제작에 요구되는 필수적인 기술에 대하여 조사하고 노광기의 동작원리와 7세대 LCD제작에 사용할 수 있는 노광기의 대략적 구상도를 설계(크기, 구동원리를 제시)

1. 노광장비
반도체나 LCD 제조과정에는 빛을 쬐어 회로를 그리는 노광 과정이 있으며, 이는 사진을 인화하는 과정과 비슷하다. 유리기판(인화지)과 마스크(필름)를 겹친 위에서 빛을 쪼이는 장비가 노광기다.
2. 리소그래피
노광 기술이라고도 하며, 포토마스크 기판에 그려진 반도체 회로 패턴을 웨이퍼 상에 전사하는 공정으로, 반도체 제조 공정에 있어서, 회로의 미세화와 집적도를 결정짓는 핵심 공정이다. 감광재료에 옮겨놓은 패턴들은 다음단계의 식각과정때 웨이퍼 표면과 감광재료 사이에 놓여 있는 공정상의 실질적 마스크 역할을 하는 박막층(ex: SiO₂, Si₃N₄등)에 모형을 형성시키는 식각방지 층으로 사용되어지는 것이다. 또한 반도체 제조 공정에 있어, 총 공정 비용의 약 35% 이상, 총 공정 시간의 약 60%이상을 리소그래피공정이 차지하고 있다. 또한 전체 반도체 장비 시장 규모의 약 15% 이상, 전공정 장비의 약 20% 이상을 차지하고 있는 것이 리소그래피 공정 관련 장비(스텝퍼, 스캐너 등) 및 재료(마스크, 감광제 등)일 만큼, 위 공정의 중요도는 대단히 크다.
3. 리소그래피 공정
일반적으로 리소그래피 공정이란 감광제를 웨이퍼 상에 균일하게 도포하고, 스태퍼와 같은 노광장비를 사용하여, 마스크 혹은 레티클 상의 패턴을 축소 투영 노광 시킨 후 현상과정을 거쳐 원하는 2차원 패턴의 감광막을 형성시키기까지의 모든 공정을 말한다. 패턴형성 후, 감광막을 마스크로 사용하여 웨이퍼 기판 막을 에칭 혹은 이온주입 작업등을 실시하고, 이후 불필요해진 감광막을 제거하는 공정을 실시하게 된다. 이러한 과정을 반복적으로 실시함으로써 3차원 패턴형상의 반도체를 만들 수 있는 것이다.

참고 자료

없음