[고체물리]차세대 메모리

소개글

21세기에 들어서면서 정보화, 지식화가 심화됨에 따라 개인의 데이터 저장량은 폭발적으로 늘어나고, 인터넷의 이용이 시간과 장소에 구애받지 않아 언제 어디서나 대용량의 정보를 다운로드 할 수 있는 휴대용 정보기기의 보급이 급증할 전망이다.
이러한 시대적 요구에 발맞추어 초소형 대용량 저장장치의 필요성은 점차 증가하고 있어 단위소자당 1Tb급의 정보저장용량과 수십 Gb/s 급 이상의 속도를 갖는 정보저장장치와 부품기술의 대두가 예상된다.
시장규모를 살펴보아도 세계 정보저장장치 산업은 99년에 470억달러 정도의 거대한 규모의 시장을 형성하여 반도체 메모리인 D램/S램의 240억 달러 시장규모를 앞질렀음을 알 수 있다. 특히 주목할 점은 향후 정보저장장치의 응용분야가 PC 위주에서 Non PC분야로 확대되어 휴대형 정보저장장치의 기술개발이 시급하다는 점이다.
따라서, 앞으로의 차세대 정보저장장치는 DRAM이상의 높은 기록밀도와 높은 데이터 전송속도, 빠른 접근시간(access time) 및 낮은 가격, 비휘발성이거나 전력소비를 최소화 할 수 있는 조건을 갖추어야 할 것이다. 이 때문에 향후 10년을 바라보며 이루어지는 차세대 메모리 개발은 위 조건 이외에 독자적인 특징을 내세워 이미 진행 중에 있다.
그 대표적인 예로는 FRAM (강유전 메모리), MRAM (강자성 메모리), PRAM (상전이 메모리) 등이 있으며 여기서는 MRAM에 이용되는 자기저항현상과 MRAM의 원리 및 특징에 대해 알아보도록 하자.

목차

1. 서론
2. 본론
2-1. 자기기록기술
2-1-1. 자기저항 (magnetoresistance)
2-1-2. 자기저항 메카니즘
2-3. MRAM
3. 결론

본문내용

일반적으로 정보를 저장하는 방식은 하드디스크와 같이 주사방식에 의해 정보를 저장하는 방식 (Scanning Technology) 과 DRAM, 플래시 메모리와 같이 고체 메모리 기술을 이용하여 정보를 저장하는 방식 (Solid State Technology) 으로 크게 나눌 수 있다. 하드 디스크와 같이 주사방식에 의해 정보를 저장하는 방식은 가격이 싸고 저장용량이 큰 반면 접근속도가 느리고 모터에 의해 구동되기 때문에 소비전력도 큰 편이라 휴대용 전자기기에 사용하기에는 적합하지가 않다. 반면 플래시 메모리와 같이 고체 메모리 기술을 이용하여 정보를 저장하는 방식은 접근속도가 빠르고 소비전력이 작은 장점이 있어 현재 휴대용 전자기기에 사용되고는 있으나 가격이 비싸고 저장용량이 작은 단점이 있다. 따라서 곧 도래할 것으로 예상되는 IMT-2000 등과 같은 고용량의 데이터를 고속으로 처리하는 휴대용 정보기기의 출현에 대처하기 위해서는 주사방식의 매체와 같이 가격이 싸고 고체 메모리 기술을 이용한 정보저장 소자와 같이 접근 속도가 빠르며 소비전력이 작은 새로운 정보저장 소자가 요구된다. 현재 이러한 특성을 만족하는 차세대 정보저장 소자로는 자기 메모리 (Magnetic RAM, MRAM) 가 가장 근접한 것으로 여겨지고 있다.
자기 메모리는 소자의 구조가 간단해 집적도를 향상시키기가 용이하며 접근속도가 빠르며 비휘발성이기 때문에 노트북 컴퓨터와 기타 전자기기에서 즉시 켜기 (Instant On) 가 가능할 것으로 예상되며 소비전력이 작아 휴대폰이나 PDA (Personal Digital Assistants) 등의 휴대용 전자기기에서의 배터리 전력 소모를 크게 줄여줄 것으로 기대된다.
또한, MRAM은 무한대의 기록재생에 대해 열화가 없으며, 200 C정도의 고온에서도 동작하는 것으로 알려졌다. 따라서 군사적용도 및 우주항공 분야에 적합하며, 우주 공간에서의 라디에이션 손상에 영향을 받지 않는 특징도 있다.

참고 자료

없음