[재료공학과]반도체 제조공정 실험

소개글

1. 이론적 배경
1.> CVD
- CVD증착법은 화학적 기상증착방법(Chemical Vapor Deposition)을 나타낸다.
CVD과정은 금속, 금속간화합물, 붕소화합물, 규소화합물 탄화물, 질화물,
산화물, 황화물 등의 박막 증착에 이용된다. CVD의 기본 원리는 증착하고자 하는 물질을 함유하는 반응가스를 반응조에 도입하여 가열된 기판 표면에서 열분해를 일으키도록 함으로써 원하는 물질을 증착하는 것이다.

목차

1. 이론적 배경
1.> CVD
2.> 비저항
2. 실험방법
3. 실험 결과 및 고찰
① 증착 온도에 따른 증착률(Å/min) 그래프
② 증착 온도에 따른 비저항 그래프
4. 참고 문헌

본문내용

① CVD의 종류
- CVD는 가스상의 화합물을 기판 위에 퇴적시키고, 기상 또는 기판표면 상에서
분해, 산화 등의 화학반응에 의해 박막을 형성하는 기술이며, 이러한 화학반응 을 일으키기 위해서는 에너지가 필요한데, 가해 주는 에너지원에 따라 아래와
같이 분류할 수 있다.
⑴ 열 CVD
- 기판을 가열함으로써 반응물의 퇴적에 의한 박막형성을 얻으며, 대기압하에서
반응시킨 상압 CVD와 대량생산성 및 적용범위를 향상시키기 위해 감압하에서
막형성을 행한 감압 CVD로 대별한다.
⑵ 플라즈마 CVD
- RF글로우 방전하에서 전기에너지에 의해 반응을 촉진시켜 박막형성을 하는데,
이 과정에서는 열을 필요로 하지 않으므로 저온화가 가능하다.
⑶ 광 CVD
- 빛을 조사하여 광화학 반응에 의해 박막형성을 하며, 플라즈마법과는 달리
반응과정 중에 고에너지의 하전입자나 전계가 관여하지 않으므로 기판과 박막
층의 손상을 고려하지 않아도 되며 양호한 막이 형성된다.
⑷ MO - CVD
- 유기금속화합물의 열분해를 이용한 박막형성법으로 성장층의 조성과 특성의 정밀제어가 가능하다.

참고 자료

- 표면공학 이홍로 저
- AFM을 이용한 기판 및 박막 특성 조사(김병일)
- 고체전자공학 김성준 저 사이텍미디어
- 서울대 표면공학 연구실 웹사이트