[물리학]반도체 정류회로 예비 실험 보고서

소개글

일반물리실험 예비보고서입니다.
보고서점수는 만점을 받았습니다.

목적, 원리, 방법, 응용분야로 되어 있구요.

원리와 응용분야를 중점으로 했습니다.

목차

1. 실험 목적
2. 실험 원리
3. 실험 방법
4. 응용 분야

본문내용

반도체 정류회로

1. 목 적
p-n 접합형 반도체 다이오드를 사용하여 교류를 직류로 변환하는 정류회로의 제작을 통하여 정류회로를 이해하고 특성을 관찰한다.

2. 원 리
반도체란 전기를 잘 통하는 도체와 전기가 잘 통하지 않는 절연체의 중간적 성질을 갖는다. 반도체는 크게 n형과 p형 반도체가 있다.
n형 반도체는 4가 원소인 규소(Si), 게르마늄(Ge)에 5가 원소인 인(P), 안티몬(Sb), 비소(As)를 소량 첨가하면 잉여전자가 남게 되는데, 이런 원리에 의한 반도체이다. p형 반도체는 4족 원소인 규소(Si), 게르마늄(Ge)에 3족 원소인 붕소(B), 알루미늄(Al)을 소량 첨가시키면 양공(hole)이 형성되고, 이런 원리에 의해 만들어진 반도체이다. 반도체 다이오드는 이러한 n형과 p형 반도체를 접합시켜 만든 전류를 한쪽방향으로만 흘려주는 반도체 부품이다. 다이오드는 전류가 p형에서 n형으로 흐르도록 하며(순방향), n형에서 p형(역방향)으로 흐르지 못하게 한다.

하나의 vS의 값에 대해, 구하고자 하는 전류 i는 식 (2)와 다이오드의 특성곡선을 연립하여 그래프로 풀 수 있다. 즉 그림 2와 같이 식 (2)와 다이오드의 특성곡선을 그래프로 그렸을 때 교점이 전류 i와 그 때 다이오드 양단의 전압 vD를 주게 된다. 이제 vS의 값이 시간에 따라 변하게 되면 식 (2)가 나타내는 직선(load line)이 평행 이동하게 되고, 교점의 위치도 달라지게 된다. vS < 0 일 때 교점의 전류값은 거의 0이 되고, vS > 0 이면 교점의 전류값은 vS가 커짐에 따라 커져 대략 vS와 비슷한 모양이 되는 것을 알 수 있다.

참고 자료

없음