반도체 부품의 기능 및 응용 예

소개글

주요 반도체 부품인 리니어 IC나 DRAM, ASIC, MICRO COMPONENT,MPU, MCU
POWER IC, LCD DRIVER IC, 의 정의 및 특징, 종류, 장단점에 대해 자세히 조사해 놓은 자료입니다. 각 부품별로 특징이 자세히 기술되어 있고, 알기쉽게 분류되어있습니다. 반도체를 공부하는 공학도분이나 반도체 부품관련 레포트를 준비하시는 분들에게 큰 도움이 되리라 생각합니다.

목차

1.Linear IC(아날로그 IC)
(1)Linear IC의 종류
1) 범용리니어IC
2) 전용리니어IC
2.DRAM
(1) FPM (Fast Page Mode) DRAM
(2) EDO (Data 확장용) DRAM
(3) SDRAM(Synchronous DRAM)
(4) RDRAM(Rambus사 특허의 DRAM)
3. ASIC
(1)ASIC의 장점 및 단점
(2)ASIC의 종류별 특징
(3)A S I C 의 응용 분야
4. MICRO COMPONENT
(1) MPU (Micro Processor Unit)
(2) MCU (Micro Controller Unit)
(3) DSP (Digital Signal Processor)
(4) Chip set
5. POWER IC
(1) POWER MOSFET
(2) POWER 트랜지스터
※응용 분야
6. LCD DRIVER IC
※참고 문헌

본문내용

-Dynamic Random Access Memory.
정보를 읽고 쓸 수 있는 장치. 반도체 Memory중 MOS Transistor를 사용한 특유의 Memory 방식이 Dynamic Memory인데, 이것은 MOS Transistor의 Gate에 축적된 전하가 방전하는데 시간이 걸리는 점을 역으로 이용한 것이다. DRAM은 Capacitor에서 전기를 축적시키는 형태로 정보를 기억, 읽는 메모리이며 캐퍼시터 로부터 전기가 흘러버리기 때문에 항상 정보를 다시 입력하는 기억 유지 동작(Refresh)이 필요하다. Cell의 크기가 작아 고집적화가 가능하며 수시로 변하는 정보를 일시적으로 기억시켜 두는데 적합하므로 컴퓨터의 Main Memory 등에 주로 사용된다.
기억소자 당 가격이 싸고 집적도를 높일 수 있기 때문에 대용량 메모리로서 널리 이용되고 있다. 하나의 기억소자는 1개의 트랜지스터와 1개의 캐퍼시터롤 구성되어 있는데, 예를들어 16M DRAM은 손톱만한 칩 속에 트랜지스터와 캐퍼시터가 각각 1600만개씩 내장된 고집적 첨단메모리제품으로 신문지 128페이지분량의 정보를 저장할 수 있다.
(1) FPM (Fast Page Mode) DRAM
오늘날 쓰는 대부분의 컴퓨터는 FPM DRAM을 사용한다. 이 메모리는 기존 DRAM에서 개선이 된 형태의 메모리로서 같은 열이나 페이지 당 기존 DRAM보다 데이터 접속 속도를 더욱 빠르게 해준다. 또한 요청한 데이터를 이전 데이터가 위치한 같은 열에서 읽어올 경우 데이터의 위치를 반복해서 나타내지 않고, 그 데이터의 행의 위치만을 읽어와 전체적인 메모리 처리속도를 빠르게 해준다. FPM 메모리를 사용하는 것은 사전을 사용하는 것과 같다고 보면 되다. 당신이 찾고자 하는 단어가 사전 상에서 같은 페이지에 있을 때, 바로 단어 목록에서 찾아 정의를 찾아볼 수 있는 것이다.
(2) EDO (Data 확장용) DRAM
EDO DRAM은 FPM과 거의 같은 형태로서 연속적인 메모리 접속 속도를 빠르게 하기 위해 FPM에 약간의 변형을 가한 것이다. EDO의 경우 조작이 쉬워, 짧은 기간 안에 널리 인정을 받게 되었다. EDO 메모리를 지원하는 컴퓨터 시스템은 이를 통해 부가적인 효과를 볼 수 있다. EDO 메모리를 지원하지 않는 컴퓨터 시스템 안에서도 EDO 메모리는 작동을 하기는 하나의 경우 성능 면에서 그다지 큰 차이를 보이지 않을 것이다.
현재 FPM과 EDO DRAM은 컴퓨터 주기억장치의 대부분을 차지하고 있다. EDO는 또한 타이퍼 페이지 모드 (Typer Page Mode)라고 불리기도 한다.
(3) SDRAM(Synchronous DRAM)
SDRAM은 EDO 세대 바로 직후 개발된 메모리이다. 이 기술은 CPU(중앙처리장치)를 제어하는 시스템 클럭에 주파수 동기를 맞추는 더욱 혁신적인 기술개발의 형태이다. 중앙처리장치와 주파수 동기를 맞춤으로서 시간지연을 최소화하고 메모리 검색작업을 더욱 원활히 한다. SDRAM을 사용하기 위해서는, 컴퓨터 시스템이 이를 지원할 수 있는 장치를 갖추고 있어야 한다. SDRAM은 새로운 고성능 시스템 적격메모리로써 EDO를 따라잡을 것으로 예상된다.

참고 자료

1. 한국반도체 산업협회(new.ksia.or.kr/)
2. 네이버 사전(naver.com)
3. 한국과학 기술연구원(http://www.kisti.re.kr/kisti/index.jsp)
4. http://www.isemicon.com/update/main.htm
5. 과학기술 통합검색(http://www.yeskisti.net/)
6. 구글(google.co.kr/)