[재료공학]SBT 박막제조와 누설전류 정전기용량 측정 결과 보고서

소개글

SBT 박막제조와 누설전류 정전기용량 측정 결과 보고서

목차

■ 실험목적
■ 실험방법
■ 실험결과
■ 고 찰
■ 참고문헌

본문내용

■ 실험목적
SBT 박막 증착 과정을 통해 유전체의 성질을 알고, 반응 온도 및 두께를 설정하여 온도 및 두께에 대한 누설 전류 및 정전기 용량을 측정하는데, 이 실험의 목적으로 정한다.
정보화 사회의 필수 시스템인 반도체 소자의 재료로 사용되는 다양한 세라믹스 재료와 금속 재료의 제조법 및 물성 측정방법을 알아보고 전자부품의 소형화, 경량화, 직접화를 가능하게 하는 박막 공정을 공부한다.
강유전체 물질을 Si 기판 위에 박막으로 증착하고 이들 박막의 유전 및 절연 특성을 측정하고 관찰함으로써 총체적으로 재료의 전자기적 특성을 이해할 수 있는 능력을 배양한다. 한편 전자산업에 쓰이는 각기 다른 전기적 특성을 가지는 재료들이 어떻게 활용되는가에 대해 이해하고 재료공학도로써 재료를 설계할 때, 어떠한 전기적 특성들을 고려하고 평가할 것인가에 대한 안목을 키운다.



■ 실험방법
① NH3OH - H2O2 - Di water = 1 : 1 : 5 (부피) 교반기를 사용하여 10분 동안 끊임 (온도 70°)
- 이는 유기물 흡착 및 금속 이온을 제거
② HCl : H2O2 : DiH2O = 1 : 1 : 6 (부피) 5-10분 동안 끊임 (온도 70°)
- 이는 Cu, Au 같은 물질을 제거
③ RF/DC Magneton Sputter (2개의 DC, 1개의 RF)
Ti 증착 : DC Sputtering 두께 400Å 상향 스퍼터링 (접착제 및 Pt 확산 방지진공을 만드는 이유 : Si 위에 Ti 증착 시 기체가 있으면 순수한 기판을 만들지 못하기 때문
<증착조건>
4.5Volt, 1:30 진공압, DC → 특성은 좋지 않게 나타나지만 Sputter 속도가 빠름.
Ti 1분30초(400Å), Pt 15분(3000Å), SBT 20분(2000Å)

참고 자료

- ZrO2 완충층과 SBT 박막을 이용한 MFIS 구조의 제조 및 특성에 관한 연구(2002. 2월) 공학석사 논문
- 비 휘발성 기억소자용 SrBi2Ta2O9 박막의 강유전체 특성, 조선대학교 재료공학과
- http://www.icm.re.kr (재료연구정보센터)
- http://home.pusan.ac.kr/~material/(부산대학교 반도체 박막 실험연구실)