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[공학]Sputtering을 이용한 시간에 따른 ITO 증착의 특성

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최초 등록일
2007.01.18
최종 저작일
2007.01
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소개글

스퍼터링을 이용한 ito증착에 관한 보고서입니다~

목차

1. 실험제목
2. 실험목적
3. 실험도구
4. 관련이론
5. 실험방법
6. 실험결과
7. 고찰

본문내용

1. PVD(물리적 기상도금)
1) 원리 : 금속 또는 금속간 화합물을 증발하여 substrate에 응축 하여 피막 형성
2) 용도 : 광학, 전기, 장식
3) 종류 : 진공 증착( vacumm evaporation) , 음극 스프터링,이온 도금
4) PVD 코팅의 효과
① 프레스 인발 및 압출금형 ④ 기어허브
② 플라스틱 금형 ⑤ 브로치
③ 절삭 펀치 ⑥ 밀링드릴

2. Sputtering의 원리
1) Sputtering Deposition은 활성화된 입자의 충돌에 의한 target 물질에서의 입자의 방출로서 이우 어지는 증착과정
2) Ion이 물질의 원자간 결합 에너지보다 큰 운동에너지로 충돌할 경우 이 Ion의 충격에 의해 물질의 격자 간 에너지가 다른 위치 로 밀리게 되어 표면 탈출이 발생
3) Ion의 충격에너지는 이 물질을 증발시키는데 필요한 열에너지 의 약 4배 이상의 에너지를 가져 물질에서 원자를 때려 탈출시 키는데 충분하다.(Sputtering)
1. Ionisation of Ar-gas particles the target2) Acceleration of Ar-ions towards 3) Momentum transfer to target atoms 4) Sputtering

3. Sputtering의 특징 비교
1) 비교적 저온에서 고융점 물질을 박막화할 수 있다.
2) 비교적 넓은 면적의 균일한 막을 얻을 수 있다.
3) Substrate와 부착력이 강한 막을 얻을 수 있다.
4) 증착법과 같이 증발원에 증발재료를 넣을 필요가 없고 target이 쓰여질 때까지 연속적인 자동화 방식에 적합(Load Lock System).
5) 금속 target에서 화합물 박막을 얻을 수 있다.
6) 고주파 Sputtering을 사용하면 절연재료도 박막화 가능.

참고 자료

없음

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