[공학]CVD 이해

소개글

본 리포트에서는 현재 활발하게 진행되고 있는 CVD 기술 개발, 생산용 장치의 현상과 과제, 금후의 동향에 대해서 기술하였습니다.

목차

서론
CVD 기술의 적용분야
Front end에 있어서 CVD 기술
Back end에있어서 CVD 기술
CVD 장치에 대한 요구
새로운 chamber concept
결 론

본문내용

100nm 이후의 시스템 LSI 구조에는 많은 새로운 프로세스 및 신 재료의 도입이 필요하며, 지금까지와 달리, 기술은 다양화 되어 선택지가 많이 존재한다. 이들 신기술 중에서는 박막 형성 기술 및 그를 위한 장치의 중요성이 매우 높고, 디바이스 고성능화의 주요 요인이 되고 있다. 박막 그 자체에 신 재료가 요구되고 있다는 것과 동시에 성막에도 새로운 방법 및 그를 위한 새로운 원료 등이 필요하며, 모든 것이 새로운 도전이다. 그 중에서 특히 CVD(화학 기상 성장) 기술에 대한 기대는 높고, 다른 성막 방법을 장래적으로 바꿀 것이라는 것도 예견된다. 이것은 CVD법 및 장치가 다른 수법에는 없는 이점을 갖고 있기 때문이다.
본 리포트에서는 현재 활발하게 진행되고 있는 CVD 기술 개발, 생산용 장치의 현상과 과제, 금후의 동향에 대해서 기술하였다.

CVD 기술의 적용분야

표 1은 CVD로 형성된 박막의 application 2003으로서 제시하는 VLSI 디바이스용 CVD막의 개발과 응용의 현상이다. 여기에서는 반도체 디바이스에 있어서 전통적으로 이용되어 온 CVD막 및 현재 실용화의 과정에 있는 막, 장래 불가피하게 될 막 등, 또 CVD법과 경합하는 박막 형성 기술에 관해서도 나타냈다. CVD 박막은 여기에 나타낸 것과 같이 PVD, 도포법, plating법 등의 경합 기술과 함께, front end에서 back end에 이르기까지 많은 응용분야가 있다. CVD법에 의한 박막 형성에는 이하와 같은 응용이 현재 가장 주목을 받고 있다.

(1) High-k막(고유전율 막) PVD법에서의 전환
(2) Low-k막(저비유전율 막) 도포법에서의 전환, 프로세스 integration이 용이한 고품질 막
(3) 신전극 재료 PVD법에서의 전환, CVD막의 질적 향상
(4) barrier, seed층, PVD법에서의 전환, 높은 aspect ratio contact hole/ via hole에 대한 대응
(5) Metal 채움 층(Cu) plating법을 대신할 성막 기술

참고 자료

없음