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[공학]Al thin film and PVD

*재*
최초 등록일
2007.02.05
최종 저작일
2007.02
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소개글

반도체 제조 공정중. PVD 와 interconnect 에 많이 사용되는 Al에 관한 내용을 담은 자료입니다. 자료의 중심은 물론 PVD이고, 한 부분에 대한 깊은 공부, 조사가 필요하다면, 한번보게 된다면, 기존에 아는 범위보다 깊은 수준에서 접근할 수 있을 것입니다.
/PPT/자료로서. 사진, 그래프도 거의 40장정도로 구성되어 있습니다. 오랜시간이 걸려서 만든것이라서 자료는 꼼꼼히 정리되어있으며, 여러분께 도움에 되었으면 하는 바램입니다.

목차

Ⅰ . The properties of Aluminum thin film in ULSI

Ⅱ . Physical Vapor deposition (PVD) by sputtering

Ⅲ . Thickness Evaluation of Opaque thin film

본문내용

1. Al for interconnect applications
- low resistivity (ρAl=2.7 μΩ-cm)
- good adhension (SiO2)

2. Al alloy
- Enhanced properties for certain interconnect requirement
-> Superior contact formation characteristics
-> better resistance to electromigration

3. Junction spiking
- occurs at the interface of pure Al and Si
- Temp. ↑ -> Solubility of Silicon in Al ↑
-> diffusivity of Si along Grain boundary in Al : high


- To solve problem
->Using (Al:Si alloy) that exceeds solubility limit of Si
at maximum process temp.

4. Some other characteristics of Al thin film
1) Al2O3(thin native oxide)-> affect the contact resistance

2) Phosphorus-doped SiO2 is deposited onto Al film
-> 수분흡수에 따른 phosphoric acid(HPO3) 형성
-> Al corrosion 발생

3) Al dry etching – chlorine residues + moisture
-> HCl 형성 -> corrosion 발생

참고 자료

없음
*재*
판매자 유형Bronze개인

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