[물리실험] 반도체 다이오드 특성 (결과보고서)

소개글

Si 다이오드, Ge 다이오드, 제너 다이오드의 특성곡선을 구하고
항복현상(breakdown)을 관찰함.

목차

1. 사용기기 및 부품
2. 실험방법
3. 실험결과
(1) Si 다이오드
(2) Ge 다이오드
(3) 제너 다이오드
4. 결론
5. 반성

본문내용

1. 사용기기 및 부품

가변 직류전원장치(기계식 계기판)
저항(0.5W 3.3kΩ, 5W 500Ω, 0.25W 100Ω 2개)
Ge 다이오드, Si 다이오드
만능기판
멀티미터 2개(전압계, 전류계 용도로 각각 1개)

2. 실험 방법

위와 등가인 회로를 만능기판 위에 장치한다. R의 저항값과 Si 다이오드와 Ge 다이오드를 바꿔가며 회로에 흐르는 전류량과 다이오드에 걸린 전압을 멀티미터를 이용해 측정한다. 측정 결과는 실험 설명서에도 나온 아래 V-I 특성곡선을 따를 것으로 기대하고 실험에 임하였다. 저항값은 100Ω, 200Ω, 500Ω, 3.3kΩ 등을 사용해 보았고, 다음 장의 결과값을 측정할 때 쓴 저항은 500Ω이다.

참고 자료

없음