TR의 입출력 특성 (에미터,컬렉터,베이스)

목차

A> common-Base transistor의 입출력 DC특성
B> Common-Emitter Transistor의 입출력 DC특성
C> Commom-Collector Transistor의 입출력 DC특성
D> Common-Emitter 증폭기 회로를 구성하고, 동작점 분석과 AC 증폭 및 왜곡에 대한 실험을 수행한 후 이를 분석하시오.

--pspice 자료

본문내용

A> common-Base transistor의 입출력 DC특성
<회로 구성>
base를 접지, 즉 회로의 “공통(common)"점으로 취급한 바이어스 회로를 구성하였다.
즉, 모든 전압은 base를 기준으로 한다. 이 때 입력은 IE , VEB 이다.
=>CB구성에서 입력특성은 다른 출력 전압 VCB에 대한 입력 전류(IE)와 입력전압(VEB)간의 관계를 조사해야 한다. x축은 입력 전압 값, y축은 입력 전류(IE) 값으로 지정하였다.
그리고 second sweep으로 출력 전압 VCB 을 변화 시켰으나 출력 전압 VCB가 꽤 넓은 범위에서 변화 하더라도 곡선의 모양에 거의 차이가 나타나지 않아 잘 보이지 않는다. 그 이유는 입력에서 VCB효과가 실제 문제에서는 종종 무시되기 때문이다. 입력 특성이 순방향 바이어스된 베이스-이미터(BE) 접합의 양단이기 때문에, 결과는 순방향 바이어스 된 다이오드와 닮은 그래프가 나왔다. 이 때, 문턱 전압은 약 0.65V로 나왔다. 이 때, VEB값의 증가에 따라 IE도 증가하는 것을 볼 수 있다. 이런 변화는 VEB가 소스캐리어 흐름을 일으키기 때문이다.

참고 자료

없음