mosfet

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목차

1.실험목적
2.실험방법
3.실험이론
4.참고문헌

본문내용

1. 실험목적
1) MOSFET CHARACTERISTICS
-FET와 MOSFET의 중요한 차이점과 유사점에 대하여 익숙해지기.
-self-bias와 voltage-divider gate bias회로 구성하기.
-MOSFET 작동에서의 다양한 biasing도형의 효과에 대하여 관찰하기.

2) MOSFET AMPLIFIERS
-MOSFET을 사용하는 증폭회로에 익숙해지기.
-MOSFET 증폭회로를 구성하고 증폭이득 특성 관찰하기.

3) MANUAL GAIN CONTROL
-MOSFET을 사용한 gain control 회로에 익숙해지기.
-일반적으로 쓰이는 gain control 회로 구성하기.

2. 실험방법
1) MOSFET CHARACTERISTICS
① Figure 14-7의 회로를 연결한다.
[Figure 14-7]
② 회로에 전원을 연결하지 않은 상태에서 VG점에서의 전압을 측정한다.
③ gate bias 전압 VGS를 측정한다.
④ 사인파 제너레이터를 0.5V P-P, 1㎑로 조절한다.
⑤ 이 신호를 MOSFET증폭기의 VI점에 적용한다.
⑥ VO점에서의 신호를 오실로스코프로 측정한다.
⑦ 증폭기의 전압이득을 계산한다.
Voltage gain =
⑧ Figure 14-8의 회로를 연결한다.

⑨ 사인파 제너레이터를 0.5V P-P, 1㎑출력으로 조절한다.
⑩ 이 신호를 MOSFET 증폭기의 VI점에 적용한다.
⑪ VO점에서의 신호를 오실로스코프로 측정한다.
⑫ 증폭기의 전압이득을 계산한다.
⑬ FET멀티미터를 사용하여 gate와 source 사이의 DC전압을 측정한다.

2) MOSFET AMPLIFIERS
① Figure 14-10의 회로를 연결한다.

② 제너레이터를 0.5V P-P 100㎑의 최대로 조절한다.
③ 이 신호를 증폭기의 입력에 적용하고 입력전압을 기록한다.
④ 오실로스코프를 증폭기의 출력에 연결하고 출력전압을 측정한다.
⑤ 전압이득을 계산한다.
⑥ 오실로스코프의 외부 sync를 증폭기의 출력에 연결하고, 수직입력을 회로의 입력에 연결한다.

참고 자료

없음