[공학기술]반도체 성질을 가지는 나노 입자의 제조 실험보고서 실험기법

소개글

반도체 성질을 가지는 나노 입자의 제조 실험보고서 실험기법에 대한
내용입니다.

목차

실험기법2 실험보고서
Ⅱ. introduction
Bulk와 nanoparticle 간의 차이

본문내용

Ⅱ. introduction
Bulk와 nanoparticle 간의 차이
보통 bulk의 반도체 상의 전자 에너지 상태는 띠 이론(band theory)에 의하여 설명되어진다. 고체를 구성하고 있는 무한히 많은 원자의 에너지 준위가 매우 가까이 접근되어 있는 결합을 나타내는 분자궤도 함수의 에너지 준위들은 연속되어 있는 것처럼 생각할 수 있고 이것을 에너지 띠 라고 부른다. 원자와 결합하여 분자가 될 때 결합 궤도 함수와 반결합 궤도함수가 생성되는 것과 마찬가지로 고체의 띠도 결합 띠와 반결합 띠가 형성된다. 그리고 반도체는 가장 높은 채워진 결합 띠를 원자가 띠(valence band)라 하고 가장 낮은 안 채워진 반결합 띠를 전도띠(conduction band)라 한다. 그리고 두 띠 사이의 에너지의 차이를 띠 간격(band gap)이라고 한다. 이것은 보통 작은 분자의 HOMO-LUMO(Highest Occupied Molecular Orbital-Lowest Unoccupied Molecular Orbital)차이와 같은 개념에 해당한다. 그러나 작은 나노 반도체 입자 (직경 20~100nm정도)의 경우, bulk(bulk) 고체와 다른 광학적 성질을 보이게 된다.

bulk 입자의 전자 준위
crystal의 translational 주기는 전자 파동 함수에서 특별한 형태를 나타낸다. crystal의 potential field 의 전자는 Bloch type wave function으로 묘사할 수 있다.

<식 1>
<식 2>

bulk에서는 큰 번호의 원자가 molucular orbital의 generation을 유도해내는데 이때 같은 에너지 준위는

참고 자료

1. 기능성 나노입자 제조기술. 한국과학기술연구원. 2005
2. 콜로이드 나노 입자의 제조와 응용. 조운조. 한국과학기술연구원
3. http://168.188.64.20/._,@divi/solid-n,02,0/symposium-f.doc
4. www.cheric.org/ippage/p/ipdata/2004/01/file/p200401-401.pdf