[공학]MBE(Molecular Beam Epitaxy)

소개글

MBE(Molecular Beam Epitaxy) : 분자선 Epitaxy에 대한 발표 자료입니다.

목차

1. Epitaxy
2. MBE?
3. MBE SYSTEM
4. Analysis Tools
5. Materials & aplications
6. MBE 장점과 단점

본문내용

● MBE 특징

1. 1968년 J.R Arthur,1974년 A.Y.Cho 등에 의해 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 Epitaxy 성장법으로 제안
2. 10-8 (분자선 생성시) 10-10Torr (생성되지 않을시) 이하 정도의 초고진공에서 작용
3. 다양한 결정의 구성원소가 함유된 cell을 가열하여 나오는 증기를 분자선 형태로 방출시켜 기판에 반도체 ,금속, 절연체 등의 얇은 양질의 에피층을 성장시키는 기술

● 장점
1.초고진공을 사용하기 때문에 챔버내 잔류불순물의 부착이 매우적어 고순도의 박막을 얻을 수
있다.
2. 증착속도가 대단히 느리기 때문에 단원자층 두께로 박막을 제어할 수 있다
3. 각 증착된 셀에 있는 기계공학적인 셔터나 각 셀의 온도를 제어함으로써 성장방향의 혼정조성분포, 불순물 도핑의 분포를 고정밀도로 제어 가능
4. 기판에 도달한 분자들이 충분한 표면이동을 할 수 있기 때문에 큰 면적에서 원자단위 정도의 균일하고 평탄한 막을 얻을 수 있다.
5. 결정 성장 중에 성장층의 표면 혹은 분자선에서 성장조건에 대한 여러가지 정보를 In-Situ장비로 관찰할 수 있어 성장제어에 feed-back 시킬 수 있다

● 단점
1. 설치 가격이 비싸고 초고진공을 유지해야 하므로 유지비가 많이 들며, 생산성이 작다

참고 자료

없음