[전자회로실험]MOSFET Digital Logic Gate_결과보고서

소개글

전자회로실험
MOSFET Digital Logic Gate 결과보고서 입니다.
내용정리 충실히 하였고 오차분석 부가적으로 +알파가 되는 부분까지 하였습니다.
레포트 점수는 당연히 최고점이었고요.
만족하실겁니다.

목차

1. 실험 결과
2. 실험 결과 분석

본문내용

• MOSFET NAND회로를 구성하여 NAND gate의 이론값과 같은 결과가 나타나는 것을 확인해보았다. Low일 때 455uV, High일 때 3.89V라는 일정한 값이 나타났다.
• 여러 가지 이유로 오차가 발생하여 이론에서 배운 것처럼 정확한 결과값이 나오지는 않았지만, low와 high를 구분할 수 있었다.


• Active load device란?
능동적인 부하 소자로 이번 실험에서 쓰인 M1 트랜지스터는 회로에서 Active Load로 동작한다. 이는 enhancement load device라고도 불리는데 회로에서 M1 트랜지스터의 Gate와 Drain을 연결하여 Load 저항을 대체하였다. 이 소자의 특징은 항상 saturation영역에 존재 한다는 것 이다.

2. 실험 결과 분석
▲ 오차 원인
1. 커패시터, 저항의 제조과정에서의 오차
- 저항의 경우 탄소피막으로 이루어져있고 대부분 5%이내, 커패시터는 10%이내의 오차를 갖는다. 실제로 저항을 측정해본 결과 1kΩ(0.991kΩ), 10kΩ(9.898kΩ)이었다.
2. Function Generator는 주파수를 맞추는 것과 전압을 공급하는 것이 아날로그 방식이기 때문에 정확하게 실험에 필요한 주파수와 전압을 회로에 줄 수 없었기 때문에 이에 오차가 발생하였다.

참고 자료

없음